[发明专利]冗余位线修复的选择方法及其装置

说明书

技术领域

本发明关于一种冗余位线修复的选择方法及其装置，尤其指一种具有灵活性修复能力的冗余位线修复的选择方法及其装置。 

背景技术

于制造出半导体存储器装置后，会进行多种的测试来判断其上的电路操作起来是否符合预期的规格，而每一测试中均会用到若干参数来检查电路的特性以及工作。当半导体存储器内某部份的正规存储器单元被发现有缺陷，则此部分的存储器单元会被冗余存储器单元取代，使半导体存储器装置能够继续正常地运作。换句话说，为修复缺陷，包含有可通过高能量光(如激光等)而熔断的多个熔丝的冗余电路于制造时与半导体存储器装置的存储器单元以及其电路装置形成为一体。 

如图1所示，美国专利公开第2005/0207244号专利(后称’244号专利)公开一种具有冗余修复功能的半导体存储器装置1。该半导体存储器装置1包含有一正规单元阵列11、一冗余单元阵列12、一单元漏极选择电路13、一行解码器电路14、一缺陷单元区块的行冗余选择电路15、一邻接单元区块的行冗余选择电路16以及一列解码电路18。图2为图1中正规以及冗余单元阵列的电路图，如图所示：正规单元阵列11具有16*8个存储器单元晶体管，而其中的16个(ML0，MR0，ML1，MR1…ML7，MR7)接收字符线选择信号WL1。电流经由存储器漏极选择晶体管MDSL0，MDSL1…MDSL7而提供给正规单元11，数据信号经由行开关晶体管MBL0，MBL1…MBL7而被读出。在正规单元阵列11中，正规单元ML2，MR2，ML3，MR3以及其他位于同一行的正规单元组成一单元区块110。同样的，正规单元ML0，MR0，ML1，MR1以及其他位于同一行的正规单元组成另一单元区块；正规单元ML4，MR4，ML5，MR5以及其他位于同一行的正规单元组成又一单元区块；正规单元ML6，MR6，ML7，MR7以及其他位于同一行的正规单元组成再一单元区块(图未示出包含单元ML5，MR5，ML6，MR6，以及ML7的行)。冗余单元阵列12内具有8*8个冗余 单元，即冗余存储器单元晶体管(冗余单元)，且其中的8个(RML0，RMR0，RML1，RMR1…，RML3，RMR3)接收字符线选择信号WL1。电流经由存储器漏极选择晶体管RMDSL0，RMDSL1…RMDSL4而提供给冗余单元阵列12，数据信号经由冗余行开关晶体管RMBL0，RMBL1…RMBL3而被读出。在冗余单元阵列12中，冗余单元RML0，RMR0，RML1，RMR1以及其他位于同一冗余行的冗余单元组成一第一冗余单元区块120，用以取代正规单元阵列11中的缺陷单元区块(如单元区块110)。冗余单元RML2，RMR2，RML3，RMR3以及其他位于同一冗余行的冗余单元组成一第二冗余单元区块121，用以取代与缺陷单元区块邻接的无缺陷单元区块。举例来说，若单元区块110有缺陷，则冗余单元区块121中的存储器单元会被用来取代与其邻接的半个区块111(位于单元区块110的左侧)、与其邻接的半个区块112(位于单元区块110的右侧)或与其邻接的半个区块111、112。