[发明专利]电容传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710142377.0 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101132652A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 铃木民人 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造电容传感器的方法，包括的步骤为：
(a)沉积将成为隔膜的膜，所述隔膜形成移动电极；
(b)把将成为隔膜的膜加热到第一温度；及
(c)沉积将成为板的膜，所述板形成与移动电极相对的静止电极。
2.根据权利要求1所述的用于制造电容传感器的方法，还包括的步骤为：在步骤(c)后，把将成为隔膜的膜和将成为板的膜加热到第二温度。
3.根据权利要求2所述的用于制造电容传感器的方法，其中第二温度低于第一温度。
4.根据权利要求1所述的用于制造电容传感器的方法，还包括的步骤为：
(d)在将成为隔膜的膜和将成为板的膜之间形成氧化硅膜；
(e)将氧化硅膜切成多片；及
(f)把将成为隔膜的膜和将成为板的膜加热到第二温度。
5.根据权利要求4所述的用于制造电容传感器的方法，其中形成氧化硅膜的温度低于第一温度和第二温度。
6.根据权利要求1所述的用于制造电容传感器的方法，其中将成为隔膜的膜和将成为板的膜由相同的材料制成。
7.根据权利要求1所述的用于制造电容传感器的方法，其中将成为隔膜的膜和将成为板的膜为扩散了杂质的多晶膜。
8.根据权利要求7所述的用于制造电容传感器的方法，其中杂质是磷酸盐。
9.一种电容传感器，包括：
隔膜，形成移动电极，由经沉积的膜制成；
板，形成静止电极，与所述移动电极相对，由经沉积的膜制成，和
其中，通过不同的热处理历程来调整隔膜的应力和板的应力。
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