[发明专利]用于驱动发光二极管的方法及发光二极管

权利要求书

1.一种用于驱动发光二极管的方法，所述发光二极管包括p型层、n型层和发光层，所述发光层被布置在所述p型层与所述n型层之间并且具有含铟量子阱结构，所述p型层、所述n型层和所述发光层中的每一个都包括具有纤锌矿型结构的氮基III-V族化合物半导体晶体，所述发光层具有相对于c平面以0.25°至2°的角度倾斜的主表面，

所述方法包括用等于或者小于20A/cm²的范围内的电流密度来调节所述发光二极管的亮度的步骤。

2.根据权利要求1所述的用于驱动发光二极管的方法，其中，所述发光层的主表面相对于所述c平面以0.3°至1°的角度倾斜。

3.根据权利要求1所述的用于驱动发光二极管的方法，其中，用等于或者小于10A/cm²的范围内的电流密度来调节所述发光二极管的亮度。

4.根据权利要求1所述的用于驱动发光二极管的方法，其中，脉冲驱动被结合使用。

5.根据权利要求1所述的用于驱动发光二极管的方法，其中，所述发光二极管具有500至550nm的发射波长。

6.一种发光二极管，包括：

p型层；

n型层；以及

发光层，其被布置在所述p型层与所述n型层之间并且具有含铟量子阱结构；

其中，所述p型层、所述n型层和所述发光层中的每一个都包括具有纤锌矿型结构的氮基III-V族化合物半导体晶体；并且

其中，所述发光层具有相对于c平面以0.3°至1°的角度倾斜的主表面。

7.一种用于驱动显示器的方法，所述显示器包括至少一个发光二极管，所述发光二极管包括p型层、n型层和发光层，所述发光层被布置在所述p型层与所述n型层之间并且具有含铟量子阱结构，所述p型层、所述n型层和所述发光层中的每一个都包括具有纤锌矿型结构的氮基III-V族化合物半导体晶体，所述发光层具有相对于c平面以0.25°至2°的角度倾斜的主表面，

所述方法包括用等于或者小于20A/cm²的范围内的电流密度来调节所述发光二极管的亮度的步骤。

8.根据权利要求7所述的用于驱动显示器的方法，其中，通过用等于或者小于20A/cm²的范围内的电流密度形成亮度信号的一部分来调节所述发光二极管的亮度。

9.根据权利要求7所述的用于驱动显示器的方法，其中，所述显示器是包括像素矩阵的发光二极管显示器，其中每个像素包括所述发光二极管。

10.根据权利要求7所述的用于驱动显示器的方法，其中，所述显示器是包括背光和液晶面板的透射式或半透射式液晶显示器，所述背光包括所述至少一个发光二极管。

11.根据权利要求7所述的用于驱动显示器的方法，其中，所述显示器是包括光源和光阀的投影显示器，所述光源包括所述至少一个发光二极管。

12.根据权利要求11所述的用于驱动显示器的方法，其中，所述光阀是液晶面板或数字微镜设备。

13.一种包含至少一个发光二极管的显示器，所述发光二极管包括：

p型层；

n型层；以及

发光层，其被布置在所述p型层与所述n型层之间并且具有含铟量子阱结构；

其中，所述p型层、所述n型层和所述发光层中的每一个都包括具有纤锌矿型结构的氮基III-V族化合物半导体晶体；并且

其中，所述发光层具有相对于c平面以0.3°至1°的角度倾斜的主表面。

14.一种用于驱动电子设备的方法，所述电子设备包括至少一个发光二极管，所述发光二极管包括p型层、n型层和发光层，所述发光层被布置在所述p型层与所述n型层之间并且具有含铟量子阱结构，所述p型层、所述n型层和所述发光层中的每一个都包括具有纤锌矿型结构的氮基III-V族化合物半导体晶体，所述发光层具有相对于c平面以0.25°至2°的角度倾斜的主表面，

所述方法包括用等于或者小于20A/cm²的范围内的电流密度来调节所述发光二极管的亮度的步骤。