[发明专利]CMOS图像传感器的制造

权利要求书

1.一种装置，包括：

P型半导体衬底；

形成在所述P型半导体衬底中的P型光电二极管，以及

形成在所述P型半导体衬底中的在所述P型光电二极管上的N型光电二极管，其中：

所述P型光电二极管和所述N型光电二极管的结形成耗尽区域，以及

所述耗尽区域的深度使所述N型光电二极管具有响应蓝光的光电效应。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述装置为CMOS图像传感器。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述P型光电二极管具有比所述P型半导体衬底高的杂质浓度。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述耗尽区域的深度基本上防止响应于波长大于蓝光波长的光的光电效应。

5.如权利要求1所述的装置，其中所述耗尽区域的深度是基于所述N型光电二极管的深度的。

6.如权利要求5所述的装置，其中所述N型光电二极管的深度是在距所述半导体衬底的表面大约0.1μm和大约0.2μm之间。

7.如权利要求6所述的装置，其中所述N型光电二极管的深度为距所述半导体衬底表面大约0.15μm。

8.如权利要求1所述的装置，其中所述P型光电二极管是通过注入硼离子或BF4离子中的至少一种形成的。

9.如权利要求1所述的装置，其中所述N型光电二极管是通过注入磷离子形成的。

10.如权利要求1所述的装置，其中当施加偏置电压时，所述耗尽区域是在所述N型光电二极管和所述P型光电二极管的结处。

11.一种方法，包括：

在P型半导体衬底中形成P型光电二极管；以及

在所述P型半导体衬底中在所述P型光电二极管上形成N型光电二极管，其中：

所述P型光电二极管和所述N型光电二极管的结形成耗尽区域，以及

所述耗尽区域的深度使得所述N型光电二极管具有响应蓝光的光电效应。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述方法是形成CMOS图像传感器的方法。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述P型光电二极管具有大于所述P型半导体衬底的杂质浓度。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述耗尽区域的深度基本上防止响应于波长大于蓝光波长的光的光电效应。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述耗尽区域的深度是基于所述N型光电二极管的深度的。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述N型光电二极管的深度是在距所述半导体衬底的表面大约0.1μm和大约0.2μm之间。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述N型光电二极管的深度为距所述半导体衬底表面大约0.15μm。

18.如权利要求11所述的方法，其中所述形成P型光电二极管包括注入硼离子或BF4离子中的至少一种。

19.如权利要求11所述的方法，其中所述形成N型光电二极管包括注入磷离子。

20.如权利要求11所述的方法，其中当施加偏置电压时，所述耗尽区域在所述N型光电二极管和所述P型光电二极管的结处。