[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

在半导体衬底上或上方形成膜；和

对所述膜进行化学机械抛光，其中所述化学机械抛光进一步包括：

第一抛光工艺，其抛光所述膜，同时提供包含磨粒、和由表面活性剂或聚合物盐组成的添加剂的第一抛光剂；

第二抛光工艺，其在所述第一抛光工艺之后，打磨抛光垫同时通过提供能够溶解所述添加剂但不含磨粒也不含由表面活性剂或聚合物盐组成的添加剂的液体来抛光所述膜；和

第三抛光工艺，其在所述第二抛光工艺之后，进一步抛光所述膜同时提供包含磨粒和由表面活性剂或聚合物盐组成的添加剂的第二抛光剂，但不提供所述液体。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中所述液体为水。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中所述磨粒是二氧化铈或硅石磨粒。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中所述第二抛光剂与所述第一抛光剂相同。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中所述第二抛光工艺中的抛光压力被调节为1psi或以下。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中所述膜为第一绝缘膜。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，

其中所述第一绝缘膜为SiO₂膜。

8.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，进一步包括：

在形成该膜的所述工艺之前，形成第二绝缘膜与所述半导体衬底的上部接触；和

在形成第二绝缘膜的所述工艺之后，并在形成该膜的所述工艺之前，选择性地去除所述第二绝缘膜和所述半导体衬底的预定部分，以由此形成从所述第二绝缘膜到所述半导体衬底的内部部分的深度范围的凹面部分，

其中，形成所述膜的所述工艺是形成所述第一绝缘膜以填充所述凹面部分的工艺，和

在所述第三抛光工艺中，去除所述凹面部分外部的区域中形成在所述第二绝缘膜上的所述第一绝缘膜，以由此暴露出所述第二绝缘膜的表面。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，

其中所述第一绝缘膜为SiO₂膜，且所述第二绝缘膜为SiN膜。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述第一抛光工艺是平整化所述第一绝缘膜的工艺；和

所述第三抛光工艺是进一步抛光所述平整化后的第一绝缘膜的工艺。

11.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，

进一步包括，在形成该膜的所述工艺之前，在所述半导体衬底上或上方形成互连，和

在形成该膜的所述工艺中，形成所述第一绝缘膜以覆盖所述互连。