[发明专利]应用于透明导电玻璃基板的非平衡磁控镀射法

说明书

技术领域

本发明涉及一种应用于透明导电玻璃基板的非平衡磁控镀射法，尤其是指可降低玻璃基板氧化物的结晶温度，同时可增加玻璃基板成膜速度的一种应用于透明导电玻璃基板的非平衡磁控镀射法。

背景技术

按，一般应用于透明导电玻璃基板的磁控镀射法，请参阅图1所示，其主要先将该玻璃基板11加温至350℃后，置于该镀源下方，该镀源13产生电浆粒子14，此称之为辉光放电，该电浆粒子14撞击导电氧化物靶材15，以使玻璃基板11表面披覆一层导电氧化物层12，因该玻璃基板11已加温至350℃，可使导电氧化物层12结晶形成透明导电氧化物膜层。

该上述技术，其虽可使氧化物形成结晶，却因辉光放电的距离较短，固其玻璃基板需尽量贴近镀源，又因其玻璃基板需加温至350℃，惟，当加温至350℃的高温时，则又易使该玻璃基板变得脆弱而易碎。

再者，有人将温度降低，即先将玻璃基板11加温至150℃后，再重复上述工艺，镀完后再以500℃的温度进行20分钟退火程序，达到稳定结晶的效果，其工艺相当费时。

发明内容

鉴于上述高温易使玻璃基板脆弱易碎的缺失以及低温的费时相关工艺方法，本发明的目的在于提供一种可降低玻璃基板氧化物的结晶温度，同时可增加成膜速度的应用于透明导电玻璃基板的非平衡磁控镀射法。

为实现上述目的，本发明提供的应用于透明导电玻璃基板的非平衡磁控镀射法，该玻璃基板放入真空环境并加热，该玻璃基板以该镀源的非平衡磁场，产生具高动能氧化物粒子，该镀源外围设有高电流电磁场，该高电流电磁场迭设于溅射靶极上，形成非平衡磁场并产生辉光放电区，该氧化物粒子沉积披覆于玻璃基板上，该非平衡磁场在玻璃基板表面附近产生大量具高温的带电粒子，该带电粒子直接浸润该披覆有氧化物的玻璃基板，产生排列组合整齐的结晶。

所述的应用于透明导电玻璃基板的非平衡磁控镀射法，其中，该氧化物可为氧化铝锌、氧化铟锡等透明导电氧化材料。

所述的应用于透明导电玻璃基板的非平衡磁控镀射法，其中，加热温度为100-200℃。

为使本发明更加显现出其进步性与实用性，与公知磁控镀射法作一比较分析如下：

公知技术缺陷：

1、温度高，玻璃基板易损坏。

2、需经过退火程序，且耗时。

3、辉光放电效应较短，其玻璃基板需贴近镀源。

本发明的技术优点：

1、由非平衡磁场，溅射镀膜沉积在玻璃基板上时，较容易使透明导电氧化物成核结晶。

2、其加温温度为100℃～200℃。

3、无需经过长时间退火程序。

附图说明

图1为公知技术的示意图。

图2为本发明的实施示意图。

图3为本发明的步骤流程示意图。

附图中主要组件符号说明：

11-玻璃基板

12-导电氧化物层

13-镀源

14-电浆粒子

15-靶材

21-玻璃基板

31-镀源

32-高电流电磁场

33-溅射靶极

34-氧化物

35-非平衡磁场

具体实施方式

本发明提供的应用于透明导电玻璃基板的非平衡磁控镀射法，其将该玻璃基板放入真空环境并加热，而该镀源外围设有高电流电磁场，该高电流电磁场迭设于溅射靶极上，而形成非平衡磁场并产生辉光放电区，又该氧化物粒子沉积披覆于玻璃基板上，产生具高动能氧化物粒子，又该非平衡磁场在玻璃基板表面附近产生大量具高温的带电粒子，该带电粒子直接浸润该披覆有氧化物的玻璃基板，而产生排列组合整齐的结晶，该氧化物可为氧化铝锌、氧化铟锡等透明导电氧化材料。

由具氧化物粒子的玻璃基板浸润在辉光放电区中，而使氧化物粒子在玻璃基板形成结晶，俾使其电阻抗降低、穿透率提高，且藉由该非平衡磁场，其带电粒子具有比一般磁场更高动能，进而可达增加玻璃基板成膜速度的及易于形成排列组合整齐的微结晶结构。

为能方便简捷了解本发明的其它特征内容与优点及其所达成的功效能够更为显现，将本发明配合附图详细说明如下：