[发明专利]基板处理方法和基板处理装置有效
| 申请号： | 200710126880.7 | 申请日： | 2007-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101097864A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 西村荣一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法，对具有由热氧化处理形成的第一氧化膜和含有杂质的第二氧化膜的基板进行处理，其特征在于，包括：
HF气体供给步骤，向所述基板供给HF气体；和
洗净气体供给步骤，向已供给所述HF气体的所述基板供给至少含有NH3气体的洗净气体，与所述HF气体供给步骤中产生的残留物反应，
在所述HF气体供给步骤中，不供给H2O气体。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述基板具有形成于所述第一氧化膜上且被所述第二氧化膜覆盖的含硅层，所述第二氧化膜使所述含硅层部分地露出，
所述含硅层在所述HF气体供给步骤前被蚀刻。
3.一种基板处理方法，对具有由热氧化处理形成的第一氧化膜和含有杂质的第二氧化膜的基板进行处理，其特征在于，包括：
HF气体供给步骤，向所述基板供给HF气体；和
基板加热步骤，供给所述HF气体，将所述第二氧化膜经过蚀刻的所述基板，在N2气氛围下进行加热，将所述HF气体供给步骤中产生的残留物升华。
4.如权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述基板加热步骤中，将所述基板加热至150℃以上。
5.一种基板处理装置，对具有由热氧化处理形成的第一氧化膜和含有杂质的第二氧化膜的基板进行处理，其特征在于，包括：
HF气体供给装置，向所述基板供给HF气体；和
洗净气体供给装置，向已供给所述HF气体的所述基板供给至少含有NH3气体的洗净气体，与供给所述HF气体时残留在所述基板上的残留物反应，在所述HF气体供给时，不供给H2O气体。
6.一种基板处理装置，对具有由热氧化处理形成的第一氧化膜和含有杂质的第二氧化膜的基板进行处理，其特征在于，包括：
HF气体供给装置，向所述基板供给HF气体；和
基板加热装置，对已供给所述HF气体的所述基板进行加热，
所述基板加热装置，是供给所述HF气体，将所述第二氧化膜经过蚀刻的所述基板，在N2气氛围下进行加热，将供给所述HF气体时残留在所述基板上的残留物升华的装置。
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