[发明专利]掩模和采用该掩模的沉积装置

说明书

本申请要求于2006年10月27日在韩国知识产权局提交的第2006-0105109号韩国专利申请的权益，其公开通过引用被包含于此。

技术领域

本发明涉及一种掩模和采用该掩模的沉积装置，更具体地讲，本发明涉及一种在基底上形成薄膜的掩模和采用该掩模的沉积装置。

背景技术

通常，用于平板显示装置的有机发光二极管包括彼此相对的两个电极。该二极管还包括位于两个电极之间的有机层。有机层包括发射层，可选地包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层等中的至少一层。这些层是由有机材料制成的薄膜。在制造有机发光二极管的过程中，可以利用沉积装置通过沉积方法来形成有机薄膜，例如，发射层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或者电子注入层等。

发明内容

一个实施例是一种用于在半成品显示装置上沉积薄膜的掩模。所述掩模包括：第一区域，包括第一开口的阵列，每个所述第一开口具有沿着第一轴测量的第一长度，第一区域具有沿着与所述第一轴基本垂直的第二轴延伸的边缘；第二区域，与所述第一区域的边缘相邻，所述第二区域包括第二开口的阵列，每个所述第二开口具有沿着所述第一轴测量的第二长度，所述第二长度是所述第一长度的长度的至少两倍，其中，所述第二开口沿着所述第一轴与所述第一开口基本对齐。

每个所述第一开口可以具有基本上方形的形状。每个所述第二开口可以具有沿着所述第一轴延伸的条形形状。所述第一开口可以布置为矩阵形式。每个所述第一开口可以具有沿着所述第二轴测量的第一宽度，每个所述第二开口可以具有沿着所述第二轴测量的第二宽度。所述第一宽度可以与所述第二宽度基本相同。所述第二开口可以沿着所述第二轴基本上彼此对齐。

每个所述第一开口可以具有第一尺寸，每个所述第二开口可以具有第二尺寸。所述第二尺寸可以是所述第一尺寸的至少两倍大。所述第一区域和所述第二区域的面积比可以是大约4∶3。

所述掩模还可包括在与所述第二区域相对的一侧与所述第一区域相邻的第三区域，所述第三区域包括第三开口的阵列，每个所述第三开口具有沿着所述第一轴测量的第三长度，所述第三长度是所述第一长度的长度的至少两倍，其中，所述第三开口沿着所述第一轴与所述第一开口基本对齐。每个所述第三开口可以具有条形形状。

另一实施例是一种用于在半成品显示装置上形成薄膜的沉积装置。所述沉积装置包括：室；基底支撑件，位于所述室内；至少两个沉积源，面向所述基底支撑件，所述沉积源彼此分隔开，构造所述沉积源来向所述基底支撑件蒸发沉积材料；如上所述的掩模，所述掩模位于所述基底支撑件和所述沉积源之间，其中，所述沉积源沿着所述第一轴基本上彼此对齐。

又一实施例是一种制造显示装置的方法。所述方法包括以下步骤：将半成品显示装置放置在如上所述的沉积装置中，使得在所述显示装置置于所述基底支撑件和所述掩模之间的同时，用所述基底支撑件支撑所述显示装置，所述显示装置具有面向所述掩模的表面；从所述沉积源蒸发沉积材料，使得所述沉积材料穿过所述掩模，从而选择性地到达所述显示装置的所述表面的部分。

所述显示装置可以是有机发光显示装置。所述沉积材料可以是有机发光材料。

又一实施例是一种有机发光显示装置，所述装置包括：具有像素区的基底，所述像素区具有第一区域和在第一方向上与所述第一区域相邻的第二区域；第一有机层的阵列，形成在所述基底的所述第一区域的上方，每个所述第一有机层具有沿着在所述第一方向上延伸的第一轴测量的第一长度；第二有机层的阵列，形成在所述基底的第二区域的上方，每个所述第二有机层具有沿着所述第一轴测量的第二长度，所述第二长度是所述第一长度的长度的至少两倍，其中，所述第二有机层沿着所述第一轴与所述第一有机层基本对齐。

所述第一有机层和所述第二有机层可以由有机发光材料形成。所述基底还可包括在与所述第二区域相对的一侧与所述第一区域相邻的第三区域，其中，所述装置还包括第三有机层的阵列，每个所述第三有机层具有沿着所述第一轴测量的第三长度，所述第三长度是所述第一长度的至少两倍长，其中，所述第三有机层沿着所述第一轴与所述第一有机层基本对齐。

又一实施例是用来在包括多个子像素区的基底上沉积薄膜并位于所述基底前面的掩模。所述掩模包括：第一区域，具有多个所述第一开口，所述第一开口与多个子像素区中的每个区域对应；第二区域，具有多个第二开口并位于具有多个所述第一开口的所述第一区域的两侧，所述第二开口与多个子像素区中的至少两个子像素区对应。