[发明专利]发光二极管的座体结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管的座体结构，特别是涉及一种用以承载高功率发光二极管的座体结构。

背景技术

随着高功率高亮度发光二极管11的发展，发光二极管11应用的层面越来越广泛，如电子产品的指示光源、显示器背光模组、日常照明...等等，因此如何提高发光二极管11的发光效率及发光亮度，使发光二极管11更方便地应用于各个领域，为目前业界主要努力的目标。提升发光二极管11发光效率的方法，除了针对提高改善晶片本身内部的出光效率外，若能提升封装层面的散热效能亦是解决的一个方法，为此，研发出能承载高瓦数发光二极管11的基座，也成为目前研发的重要课题。

目前发光二极管11的输入功率只有15～20％转换成光，而有将近80～85％的输入功率却转换成热。由于大部分的输入功率皆无法转换成光，因此既使发光二极管11拥有省电的优点，却也无法有效将大部分的输入功率转换成光能，使得发光二极管11的优点无法完全的发挥。所以，若无法适时将发光二极管11产生的热适时排出，将使发光二极管11晶片的温度过高，进而降低其发光效率及使用寿命。

图1A为现有习知发光二极管的座体结构10。图1B为图1A中沿A-A剖线的剖视图。现有习知发光二极管的座体结构10是将发光二极管11直接封装于印刷电路基板12上，利用印刷电路基板12作为散热的介质，但因为印刷电路基板12同时作为导电及散热的用途，使得发光二极管的座体结构10其导热性能较差。若无法将热能有效的做横向传递，将造成印刷电路基板12无法承载高功率发光二极管11所产生的热能，不但影响到发光二极管11的发光效率，并同时影响其使用寿命，况且使用现有习知发光二极管的座体结构10用于承载更高瓦数的发光二极管11，将使得发光二极管11的发光效率受到限制。

由此可见，上述现有的发光二极管的座体结构在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的发光二极管的座体结构，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的发光二极管的座体结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的发光二极管的座体结构，能够改进一般现有的发光二极管的座体结构，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的发光二极管的座体结构存在的缺陷，而提供一种发光二极管的座体结构，借由其可将绝缘导热基材及功能件分离的特性，使得导热基材可选用高传热系数、低介电常数和低膨胀系数的绝缘导热基材，以提升发光二极管座体结构的散热效能，达到改善现有习知座体结构散热效能不彰的缺点，非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种发光二极管的座体结构，用以承载一发光二极管，其包括：一绝缘导热基材；以及一功能件，其为一中空板体，该功能件的底部是与该绝缘导热基材结合。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的发光二极管的座体结构，其中所述的绝缘导热基材为一氮化铝基材。

前述的发光二极管的座体结构，其中所述的绝缘导热基材为一碳化硅基材。

前述的发光二极管的座体结构，其中所述的绝缘导热基材为一氮化硼基材。

前述的发光二极管的座体结构，其中所述的绝缘导热基材设有至少一穿孔，又每一该穿孔内设有一导体。

前述的发光二极管的座体结构，其中所述的绝缘导热基材的至少一侧设有一导体。

前述的发光二极管的座体结构，其中所述的绝缘导热基材与该功能件的结构为一共烧结构。

前述的发光二极管的座体结构，其中所述的功能件为一电路基板。

前述的发光二极管的座体结构，其中所述的功能件为一光学反射件，其中空部具有一光学反射结构。

前述的发光二极管的座体结构，其中所述的绝缘导热基材与该电路基板是以一锡/锑、一锡/铅、一金/锡、一铜/银或一锡/银/铜的焊接材为结合材料。

前述的发光二极管的座体结构，其中所述的电路基板为一印刷电路板。