[发明专利]液晶显示器基板、液晶显示器及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器，特别是涉及在薄膜晶体管的阵列基板一侧形成彩色滤光层的液晶显示器用基板及采用该基板的液晶显示器及制造方法。 

背景技术

现有技术中，把薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)作为开关元件使用的有源矩阵型液晶显示装置(Liquid Crystal Display；LCD)，提出了反参差型等TFT-LCD。近年来，为了实现宽开口率，也提出使用在形成TFT等开关元件的阵列基板一侧形成彩色滤光层(Color Filter；CF)(或称CF-on-TFT)结构的LCD。在这样的CF-on-TFT结构的基板上，通常直接将涂布树脂的彩色滤光层及其保护层(OC)刻蚀掉来形成开关元件在TFT处和存储电容处的接触孔。 

图1是现有技术CF-on-TFT构造的LCD像素区域的俯视图，图2是图1的A-A’处剖视图。如图2和图1所示，TFT基板10一侧具体为首先在玻璃基板11上形成栅线或栅电极12。再在其上形成绝缘的栅绝缘层13，隔着栅绝缘层13与栅线交叉形成数据线16。由栅线12和数据线16划分的区域形成像素区域。并且，在栅线12和数据线16的交叉位置附近形成TFT23。 

TFT23具有由数据线金属层和电阻接触层15构成的漏极26以及源极27，漏极26及源极27的端部隔着栅绝缘层分别位于栅电极12两侧的边缘。在钝化层17和栅绝缘层13之间形成有源层14，有源层14两侧分别与漏极26和源极27的电阻接触层15连接。在TFT23中，沟道下方的栅电极12区域作为栅极起作用，位于栅极上方的栅绝缘层13作为绝缘层起作用。 

在TFT23之上形成钝化层17之后，再在其上的非像素区域形成黑矩阵层18，在像素区域内形成树脂层19。在黑矩阵层18和树脂层19上形成树脂保护层110，在树脂保护层110上依像素形状形成透明像素电极21。透明像素电极21通过贯穿树脂保护层110、树脂层19和保护层17的源漏电极接触孔22与源极27相连接。同样，透明像素电极21通过接触孔22a与隔着栅绝缘层13形成在公共电极114上方的存储电容电极25相连接。 

这样，在以往的TFT-on-CF构造的显示元件的制作过程中，接触孔的形成是通过将其所在位置的树脂保护层110、树脂层19和钝化层17全部贯穿而得到的。虽然在工艺过程中可以将源漏电极接触孔22形成一个顺锥形，以便使透明像素电极21减少断线的发生，但是由于透明像素电极21厚度一般只有300-600，并且接触孔处的坡度角28以及层间端差太大，因此，依旧极易出现透明像素电极21在源漏电极接触孔22处出现断裂的情况，从而使透明像素电极无法正常导通，画面无法正常显示。 

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种液晶显示器基板、液晶显示器及其制造方法，通过刻蚀工艺对树脂层在TFT所处位置形成一个空白区域，在树脂层之上直接沉积透明像素电极，大大减小接触孔中的层间端差，杜绝透明像素电极在接触孔位置出现断线的问题，同时也一定程度上降低工艺难度，提高显示特性和可靠性。 

为了实现上述目的，本发明提供一种液晶显示器基板，包括： 

一基板； 

一栅线和栅电极，形成在所述基板上； 

一栅绝缘层，形成在所述基板上，并覆盖所述栅线和栅电极； 

一有源层，形成在所述栅电极上方的栅绝缘层上； 

一电阻接触层，形成在所述有源层上； 

一源漏电极及数据线，形成在所述电阻接触层上方，其中所述数据线与所述栅线交叉定义一像素区域； 

一钝化层，形成在所述源漏电极及数据线上方，其中所述钝化层在所述源漏电极的源极上方形成有接触孔； 

一黑矩阵层，形成在所述像素区域之外的区域； 

一树脂层，形成在所述像素区域的钝化层上，处于薄膜晶体管上方的树脂层被刻蚀出一个空白区域，所述空白区域不存在树脂层，从而露出所述钝化层上的接触孔，所述接触孔的形成只需要贯穿所述钝化层，其中所述薄膜晶体管由所述栅电极、所述栅绝缘层、所述有源层、所述电阻接触层和所述源漏电极组成； 

一像素电极，形成在所述树脂层上，并通过所述接触孔与所述源漏电极的源极连接。