[发明专利]TFT－LCD阵列基板结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，尤其涉及薄膜晶体管液晶显示器阵列基板结构及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

TFT-LCD器件是由阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对盒而形成的。图1为现有技术TFT-LCD阵列基板结构的示意图，图2为图1中A-A向截面图。如图1、图2所示，现有技术TFT-LCD阵列基板主要包括：基板；基板上形成的栅信号线1和栅电极2；在栅电极2上形成的栅电极绝缘层3和非晶硅薄膜和欧姆接触层组成的有源层4，之上形成的信号线5、源电极6和漏电极7；之上覆盖的钝化层10，位于漏电极7上方的钝化层6上设置有钝化层过孔；透明像素电极(ITO电极)11通过钝化层过孔与漏电极7连接。

现有技术的上述结构采用像素存储电容位于栅信号线之上(Cst on gate)设计，透明像素电极11与栅信号线1有一定交叠面积，二者之间夹着栅电极绝缘层3和钝化层10，这样像素电极11与栅信号线1就形成了像素存储电容，该像素存储电容的极板间距等于栅电极绝缘层3和钝化层10的厚度。

根据电容公式可知，像素存储电容与其极板之间的间距成反比，现有技术中，存储电容两极板间的电介质厚度为栅电极绝缘层3和钝化层10，较大的电介质厚度使像素存储电容比较小。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法，有效解决现有技术阵列基板结构像素存储电容比较小的技术缺陷。

本发明第一方面提供了一种TFT-LCD阵列基板结构，包括玻璃基板和依次形成在所述玻璃基板上的栅信号线和栅电极，栅电极绝缘层，非晶硅薄膜和欧姆接触层组成的有源层，信号数据层，钝化层，以及像素电极层，所述信号数据层包括信号线、源电极、漏电极和信号公共金属层，所述信号公共金属层和钝化层上分别设置有用于连接所述信号公共金属层和栅信号线的金属层过孔和钝化层过孔，形成信号公共金属层和像素电极分别作为极板、钝化层作为电介质的像素存储电容。

所述金属层过孔位置上形成有与所述像素电极不接触的透明电极，所述透明电极通过所述金属层过孔和钝化层过孔将所述信号公共金属层与栅信号线连接。

本发明第一方面提供了另一种TFT-LCD阵列基板结构，包括玻璃基板和依次形成在所述玻璃基板上的栅信号线和栅电极，栅电极绝缘层，非晶硅薄膜和欧姆接触层组成的有源层，信号数据层，钝化层，以及像素电极层，所述信号数据层包括信号线、源电极、漏电极和信号公共金属层，所述钝化层上设置有用于连接所述信号公共金属层和像素电极的钝化层过孔，形成信号公共金属层和栅信号线分别作为极板、栅绝缘层作为电介质的像素存储电容。

所述钝化层过孔设置在所述信号公共金属层位置，将所述信号公共金属层与像素电极连接。

本发明第一方面提出了一种TFT-LCD阵列基板结构，通过在栅电极绝缘层上面沉积了一块作为像素存储电容一个极板的信号公共金属层，并形成金属层过孔或钝化层过孔，使形成像素存储电容的极板间距减小，因此较大地提高了像素存储电容。由于像素存储电容可以降低反馈电压ΔVp，提高显示质量，改善画面品质，所以本发明上述技术方案在保证存储电容的前提下，提高了开口率。

本发明第二方面提供了一种TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，包括：

步骤1、在玻璃基板上沉积栅金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成栅信号线和栅电极；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上连续淀积栅电极绝缘层、非晶硅薄膜和欧姆接触层，通过光刻工艺和干法刻蚀工艺，在所述栅电极上形成岛状有源层；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上形成带有信号公共金属层的信号数据层，通过干刻工艺刻蚀掉暴露的欧姆接触层，之后依次形成钝化层和像素电极层，通过形成过孔使所述信号公共金属层形成像素存储电容的一个极板。

其中，所述步骤3可以具体为：

步骤301、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成信号线、源电极、漏电极和作为像素存储电容极板之一的信号公共金属层，并在所述信号公共金属层上形成金属层过孔；

步骤302、在完成步骤301的玻璃基板上通过干刻工艺刻蚀掉暴露的欧姆接触层；