[发明专利]TFT－LCD阵列基板结构及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，包括玻璃基板和依次形成在所述玻璃基板上的栅信号线和栅电极，栅电极绝缘层，非晶硅薄膜和欧姆接触层组成的有源层，信号数据层，钝化层，以及像素电极层，其特征在于，所述信号数据层包括信号线、源电极、漏电极和信号公共金属层，所述信号公共金属层和钝化层上分别设置有用于连接所述信号公共金属层和栅信号线的金属层过孔和钝化层过孔，形成信号公共金属层和像素电极分别作为极板、钝化层作为电介质的像素存储电容。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述金属层过孔位置上形成有与所述像素电极不接触的透明电极，所述透明电极通过所述金属层过孔和钝化层过孔将所述信号公共金属层与栅信号线连接。

3.一种TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，包括玻璃基板和依次形成在所述玻璃基板上的栅信号线和栅电极，栅电极绝缘层，非晶硅薄膜和欧姆接触层组成的有源层，信号数据层，钝化层，以及像素电极层，其特征在于，所述信号数据层包括信号线、源电极、漏电极和信号公共金属层，所述钝化层上设置有用于连接所述信号公共金属层和像素电极的钝化层过孔，形成信号公共金属层和栅信号线分别作为极板、栅绝缘层作为电介质的像素存储电容。

4.根据权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板结构，其特征在于，所述钝化层过孔设置在所述信号公共金属层位置，将所述信号公共金属层与像素电极连接。

5.一种TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在玻璃基板上沉积栅金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成栅信号线和栅电极；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上连续淀积栅电极绝缘层、非晶硅薄膜和欧姆接触层，通过光刻工艺和干法刻蚀工艺，在所述栅电极上形成岛状有源层；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上形成带有信号公共金属层的信号数据层，通过干刻工艺刻蚀掉暴露的欧姆接触层，之后依次形成钝化层和像素电极层，通过形成过孔使所述信号公共金属层形成像素存储电容的一个极板。

6.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤3具体为：

步骤301、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成信号线、源电极、漏电极和作为像素存储电容极板之一的信号公共金属层，并在所述信号公共金属层上形成金属层过孔；

步骤302、在完成步骤301的玻璃基板上通过干刻工艺刻蚀掉暴露的欧姆接触层；

步骤303、在完成步骤302的玻璃基板上沉积钝化层，通过光刻工艺和干法刻蚀工艺，在所述漏电极位置形成第一钝化层过孔，在所述金属层过孔位置形成第二钝化层过孔，且刻蚀掉其下层的栅电极绝缘层，露出栅信号线；

步骤304、在完成步骤303的玻璃基板上沉积像素电极层，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成像素电极，并在所述金属层过孔位置形成与所述像素电极不接触的透明电极，所述透明电极通过所述金属层过孔将所述信号公共金属层与栅信号线连接，形成信号公共金属层和像素电极分别作为极板、钝化层作为电介质的像素存储电容。

7.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板结构的制造方法，其特征在于，所述步骤3具体为：

步骤311、在完成步骤2的玻璃基板上沉积金属薄膜，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成信号线、源电极、漏电极和作为像素存储电容极板之一的信号公共金属层；

步骤312、在完成步骤311的玻璃基板上通过干刻工艺刻蚀掉暴露的欧姆接触层；

步骤313、在完成步骤312的玻璃基板上沉积钝化层，通过光刻工艺和干法刻蚀工艺，在所述漏电极位置形成第一钝化层过孔，在所述信号公共金属位置形成第二钝化层过孔；

步骤314、在完成步骤313的玻璃基板上沉积像素电极层，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，形成像素电极，并在所述第二钝化层过孔位置将所述信号公共金属层与像素电极连接，形成信号公共金属层和栅信号线分别作为极板、栅绝缘层作为电介质的像素存储电容。