[发明专利]一种晶圆表面氧化膜去除工艺和装置无效
| 申请号： | 200710118221.9 | 申请日： | 2007-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101339901A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王喆;王辉;陆小勇;徐继平;万关良 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 表面 氧化 去除 工艺 装置 | ||
【权利要求书】：
1、一种晶圆表面氧化膜去除工艺，其特征在于：该工艺是：在晶圆表面氧化膜去除装置的反应室中，将硅片中待去除表面氧化膜的那一面正对通过鼓泡气阀控制的氢氟酸气体，需要保护的硅片的另一面正对保护气体，待去除完成后，再对样品作检测。
2、根据权利要求1所述的一种晶圆表面氧化膜去除工艺，其特征在于：所述的工艺步骤是：
(1)将待去除表面氧化膜的硅片对准操作台保护气腔的片槽内；
(2)打开保护气阀，调节保护气阀；
(3)关闭反应室，打开鼓泡气阀，调节氢氟酸气阀，使氢氟酸气体腐蚀晶圆氧化膜；
(4)观察正表面氧化膜的去除情况，去除完成后，关闭鼓泡气阀；
(5)打开干燥气阀；数分钟后，关闭气阀，取出硅片，检测晶圆表面氧化膜。
3、一种晶圆表面氧化膜去除装置，它包括操作风橱，氢氟酸气体发生器，保护气体传送装置，反应室，氢氟酸气体输运管道。
4、根据权利要求3所述的一种晶圆表面氧化膜去除装置，其特征在于：所述的反应室分为上下两部份，反应室内设有与硅片规格直径一致的片槽，上下两部份以密封圈密封，上部设HF与N2的混合气的进口，片槽下是保护气体气腔。
5、根据权利要求4所述的一种晶圆表面氧化膜去除装置，其特征在于所述的反应室中保护气体气腔为上大下小的喇叭口结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
