[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

半导体层；和

光提取层，其被布置在该半导体层上，并且由折射率等于或者高于该半导体层的折射率的材料制成。

2.如权利要求1所述的发光器件，其中该光提取层形成有多个孔。

3.如权利要求2所述的发光器件，其中在这些孔中布置透明导电氧化物。

4.如权利要求2所述的发光器件，其中规则地形成这些孔。

5.如权利要求1所述的发光器件，还包括：

位于该光提取层和该半导体层之间的透明导电层。

6.如权利要求5所述的发光器件，其中，该透明导电层具有λ/16n到λ/2n的厚度(“n”代表该透明导电层的折射率)。

7.如权利要求1所述的发光器件，还包括：

位于该光提取层和该半导体层之间的透明金属层。

8.如权利要求7所述的发光器件，其中该透明金属层由Ni和/或Au、或者包含Ni和Au的合金制成。

9.如权利要求1所述的发光器件，其中该光提取层由氧化物或者氮化物制成。

10.如权利要求1所述的发光器件，其中该光提取层的折射率为2.4或者更大。

11.如权利要求1所述的发光器件，其中该光提取层由SiN或者TiO₂制成。

12.如权利要求1所述的发光器件，其中该半导体层包括：

n型半导体层；

布置在该n型半导体层上的有源层；和

布置在该有源层上的p型半导体层。

13.如权利要求12所述的发光器件，其中该p型半导体层具有30到500nm的厚度。

14.如权利要求1所述的发光器件，其中该光提取层包括：

布置在该半导体层上的透明导电氧化物层；和

布置在该透明导电氧化物层上并且形成有多个孔的电介质层。

15.如权利要求1所述的发光器件，其中该光提取层具有150nm或者更厚的厚度。

16.如权利要求1所述的发光器件，其中该半导体层包括：

p型半导体层；

布置在该p型半导体层上的有源层；和

布置在该有源层上的n型半导体层。

17.如权利要求1所述的发光器件，其中该半导体层被布置在第一电极上。

18.如权利要求17所述的发光器件，其中该第一电极包括：

反射性电极；和

布置在该反射性电极上的欧姆电极。

19.如权利要求17所述的发光器件，其中该第一电极由金属或者半导体制成。

20.一种发光器件，包括：

包括被布置在半导体层上的同一平面内的至少两种光子晶体结构的光子晶体层，所述光子晶体结构具有不同的周期。

21.如权利要求20所述的发光器件，其中该光子晶体层包括具有多个孔的图形或者具有多个突起的微粒的图形。

22.如权利要求20所述的发光器件，其中该对应于光子晶体层中最长周期的光子晶体具有800到5000nm的周期。

23.如权利要求20所述的发光器件，其中该光子晶体层中对应于最长周期的光子晶体具有300到3000nm的图形深度。

24.如权利要求20所述的发光器件，其中该光子晶体层中对应于最短周期的光子晶体具有50到1000nm的周期。

25.如权利要求20所述的发光器件，其中该光子晶体层中对应于最短周期的光子晶体具有50到500nm的图形深度。

26.如权利要求20所述的发光器件，其中用于形成该光子晶体层的光子晶体的这些孔具有0.1a到0.45a的深度，其中“a”代表该光子晶体层的周期。