[发明专利]薄膜晶体管基板、液晶显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示面板，包括：

第一基板，包括：栅极线、数据线、与所述栅极线和数据线相连的薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管相连的反射电极，其中所述反射电极覆盖所述栅极线的至少一部分；

第二基板，面对第一基板，并包括滤色器和公共电极，其中所述公共电极与所述反射电极形成电场；以及

液晶，设置在所述第一基板与所述第二基板之间。

2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，还包括与薄膜晶体管相连的像素电极。

3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，还包括外涂层，其中所述外涂层包括与所述反射电极重叠的第一端和第二端。

4.根据权利要求2所述的液晶显示面板，还包括：

存储电极，与所述薄膜晶体管的漏电极重叠，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；

第一存储线，与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及

第二存储线，与所述像素电极重叠，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器。

5.根据权利要求4所述的液晶显示面板，其中所述第二存储线与在所述数据线长度方向上彼此相邻的至少两个像素电极重叠。

6.根据权利要求2所述的液晶显示面板，还包括与所述数据线重叠的屏蔽图案，其中所述屏蔽图案的宽度比所述数据线的宽度宽。

7.根据权利要求6所述的液晶显示面板，还包括：

存储电极，与所述薄膜晶体管的漏电极相绝缘地重叠，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；

第一存储线，与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及

第二存储线，与所述像素电极相绝缘地重叠，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器；

其中所述屏蔽图案与所述第二存储线电连接。

8.一种薄膜晶体管基板，包括：

在基板上形成的栅极线；

与所述栅极线交叉的数据线，其中所述数据线与所述栅极线绝缘；

与所述栅极线和所述数据线相连的薄膜晶体管；以及

反射电极，与所述薄膜晶体管相连，并覆盖所述栅极线的至少一部分。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，还包括与薄膜晶体管相连的像素电极。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板，还包括：

存储电极，与所述薄膜晶体管的漏电极重叠，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；

第一存储线，与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及

第二存储线，与所述像素电极重叠，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其中所述第二存储线与在所述数据线长度方向上彼此相邻的至少两个像素电极重叠。

12.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基板，还包括与所述数据线重叠的屏蔽图案，其中所述屏蔽图案的宽度比所述数据线的宽度宽。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管基板，还包括：

存储电极，与所述薄膜晶体管的漏电极重叠，其中在所述存储电极与所述漏电极之间形成绝缘层，而且所述存储电极与所述漏电极形成第一存储电容器；

第一存储线，与所述存储电极相连，并与所述栅极线的第一端相邻；以及

第二存储线，与所述像素电极重叠，其中在所述第二存储线与所述像素电极之间形成绝缘层，而且所述第二存储线与所述栅极线的第二端相邻，并与所述像素电极形成第二存储电容器；

其中所述屏蔽图案与所述第二存储线电连接。

14.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其中所述第二存储线位于被提供具有不同极性的数据信号的两个像素电极之间。