[发明专利]一种制造钨插塞过程中消除钨穿刺的方法

权利要求书

1.一种制造钨插塞过程中消除钨穿刺的方法，其特征是：该方法在晶片淀积氮化硅的过程中先通入氨气，氨气去除钨表面的氧化物并在钨表面形成一层氮化物，然后再淀积氮化硅。

2.根据权利要求1所述制造钨插塞过程中消除钨穿刺的方法，其特征是：所述氨气通入的流量为每分钟10至1000毫升，其中优选值为每分钟500毫升。

3.根据权利要求1所述制造钨插塞过程中消除钨穿刺的方法，其特征是：所述氨气在测漏成功后开始通入，所述测漏为测试反应腔是否为真空。

4.根据权利要求1所述制造钨插塞过程中消除钨穿刺的方法，其特征是：所述氨气在反应腔稳定于反应温度后的1至60分钟停止通入，其中优选值为30分钟。

5.根据权利要求1所述制造钨插塞过程中消除钨穿刺的方法，其特征是：所述晶片放置于晶舟，所述晶舟在反应腔内的上升速度为每分钟20至100厘米，其中优选值为每分钟50厘米。