[发明专利]压电元件及其制造方法、电子器件、喷墨器件有效

专利信息
申请号: 200710091634.2 申请日: 2007-04-03
公开(公告)号: CN101051668A 公开(公告)日: 2007-10-10
发明(设计)人: 石仓淳理;柴田尚存;青木活水;斋藤康行 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L41/08 分类号: H01L41/08;H01L41/09;H01L41/047;H01L41/22;B41J2/14;B41J2/045
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李德山
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 压电 元件 及其 制造 方法 电子器件 喷墨 器件
【权利要求书】:

1.一种压电元件,至少包括:衬底、压电膜和设置在该衬底和该压电膜之间的电极,其中,

该电极包括导电氧化物和导电金属,

在该电极的衬底侧包含的导电氧化物比导电金属多,

在该电极的压电膜侧包含的导电金属比导电氧化物多,以及

该电极包括位于衬底侧的导电氧化物层、位于压电膜侧的包括该导电金属的导电金属层、和设置在该导电氧化物层和该导电金属层之间并且其中混合了该导电氧化物和该导电金属的混合层。

2.根据权利要求1的压电元件,其中,

该混合层的厚度不小于10nm且不大于1μm。

3.根据权利要求1的压电元件,包括渐变成分结构,在该渐变成分结构中,该混合层中的导电氧化物的比例从混合层与导电氧化物层之间的界面到混合层与导电金属层之间的界面逐渐减小。

4.一种压电元件,至少包括:衬底、压电膜和设置在该衬底和该压电膜之间的电极,其中,

该电极包括导电氧化物和导电金属,

在该电极的衬底侧包含的导电氧化物比导电金属多,

在该电极的压电膜侧包含的导电金属比导电氧化物多,以及该导电氧化物的浓度从该电极的衬底侧至压电膜侧逐渐减小。

5.根据权利要求1或4的压电元件,其中,

该导电金属是Pt族。

6.根据权利要求1或4的压电元件,其中,

该压电膜的厚度不小于1μm且不大于200μm。

7.根据权利要求1或4的压电元件,其中,

该导电氧化物属于ABO3钙钛矿型。

8.根据权利要求7的压电元件,其中,

所述ABO3钙钛矿型的导电氧化物是从包括LaNiO3、LaCrO3、SrRuO3、CaRuO3、La1-xSrxCoO3、BaPbO3、La1-xSrxCaxRuO3、La1-xSrxTiO3、SrIrO3及其混合物的组中选择的至少一种。

9.根据权利要求1或4的压电元件,其中,

该压电膜是锆钛酸铅基氧化物和弛豫体基介电材料之一。

10.根据权利要求9的压电元件,其中,

所述锆钛酸铅基氧化物的主要成分表示为Pb(Zry,Ti1-y)O3,其中y在0.2到0.8的范围内。

11.根据权利要求9的压电元件,其中,

所述弛豫体基介电材料是从包括Pb(Mn,Nb)O3-PbTiO3、Pb(Zn,Nb)O3-PbTiO3、Pb(Sc,Ta)O3-PbTiO3、Pb(In,Nb)O3-PbTiO3、Pb(Yb,Nb)O3-PbTiO3、Pb(Ni,Nb)O3-PbTiO3及其混合物的组中选择的至少一种。

12.一种压电元件的制造方法,该压电元件至少包括衬底、压电膜和设置在该衬底和该压电膜之间的电极,该方法包括:

在衬底上设置电极,以及

在该电极上形成压电膜之后烘烤该压电膜,其中,

该电极被适配为使得在该电极的衬底侧包含的导电氧化物比导电金属多,在该电极的压电膜侧包含的导电金属比导电氧化物多。以及

通过在衬底上设置导电氧化物层、位于该导电氧化物层上的其中混合了导电氧化物和导电金属的混合层、以及位于该混合层上的导电金属层,在衬底上设置该电极。

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