[发明专利]双阶段自行对准接触窗及其制造方法

权利要求书

1. 一种双阶段自行对准接触窗的制造方法，包括

提供基底，该基底上具有接触区；

在该基底上形成第一介电层；

在该第一介电层中形成下部开口，其与该接触区相对应；

在该第一介电层上形成第二介电层；

在该第二介电层中形成上部开口，其自行对准该下部开口并与其连通构成自行对准接触窗开口；以及

在该自行对准接触窗开口中形成导电层。

2. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中在该第一介电层中形成该下部开口的步骤中，所形成的该下部开口裸露出该接触区上的部分该第一介电层，且在进行形成该上部开口的步骤时，还包括去除该下部开口底部的该第一介电层，裸露出该接触区。

3. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该第一介电层包括应力层。

4. 如权利要求3所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该应力层的材质包括氮化硅。

5. 如权利要求3所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中在该第一介电层中形成该下部开口的步骤中是以定时方式蚀刻该应力层，使所形成的该下部开口的底部仍有部分该应力层覆盖于该接触区上。

6. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该第一介电层由下而上包括蚀刻终止层、终点侦测层与应力层。

7. 如权利要求6所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该蚀刻终止层的材质包括氮化硅，该终点侦测层的材质包括氧化硅，该应力层的材质包括氮化硅。

8. 如权利要求6所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中在该第一介电层中形成该下部开口的步骤中，该下部开口是裸露出该应力层、该终点侦测层或该蚀刻终止层。

9. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该第一介电层由下而上包括终点侦测层与应力层。

10. 如权利要求9所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该终点侦测层的材质包括氧化硅，该应力层的材质包括氮化硅。

11. 如权利要求9所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中在该第一介电层中形成该下部开口的步骤中，该下部开口是裸露出该应力层或该终点侦测层。

12. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，还包括在该形成该下部开口之后，形成该第二介电层之前，在该下部开口的侧壁形成衬层。

13. 如权利要求12所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该衬层的材质包括氧化硅或氮氧化硅。

14. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该第二介电层的材质是选自于常压化学气相沉积的氧化硅、高密度等离子体气相沉积的氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃与氟掺杂玻璃及其组合所组成的族群。

15. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该自行对准接触窗为源极/漏极区的接触窗、栅极的接触窗，或源极/漏极区与栅极的共用接触窗。

16. 如权利要求1所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该下部开口与该上部开口的尺寸不同。

17. 如权利要求16所述的双阶段自行对准接触窗的制造方法，其中该下部开口的尺寸小于与该上部开口的尺寸。

18. 一种自行对准接触窗，包括：

下部接触窗，位于基底的介电层中；以及

上部接触窗，位于该介电层中且位于该下部接触窗上并与其直接连接，且该上部接触窗与该下部接触窗的尺寸不同。

19. 如权利要求18所述的自行对准接触窗，其中该上部接触窗的尺寸大于该下部接触窗的尺寸。

20. 如权利要求18所述的自行对准接触窗，其中该自行对准接触窗为与源极/漏极区连接的接触窗、与栅极连接的接触窗，或为源极/漏极区与栅极的共用接触窗。

21. 如权利要求18所述的自行对准接触窗，还包括衬层，位于该下部接触窗之外围与该介电层之间。