[发明专利]有机EL显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机EL显示装置。

背景技术

顶部发光型(以下称为“TE型”)的有源矩阵式有机EL(electroluminescence)显示装置(以下称为“AM-OLED”)与在先开发的产品的底部发光型(以下称为“BE型”)AM-OLED的较大不同点是发光的出射方向。

BE型AM-OLED在由有源元件来驱动矩阵状配置的各像素PXL的有源矩阵基板(以下称为“TFT基板”)上具有TFT基板侧的下部电极、包括由有机层构成的发光层的功能层OLBF、上部电极CD的层叠构造的结构(以下称为“有机EL元件”)，按每个像素PXL形成透明导电膜即ITO作为其下部电极，通过用有源元件控制流入形成在该ITO之上的发光层的电流来进行显示。因为在TFT基板侧射出由发光层产生的光，所以在发光层之上形成的上部电极CD成为在有效显示区域AR前面一并形成具有高反射特性的金属的结构。因为该具有高反射特性的金属的薄膜电阻低，所以能作为各像素PXL的公共电极使电位充分回归至驱动电路。

而在TE型AM-OLED中，因为并不是在TFT基板侧而是在上部电极CD侧射出由发光层产生的光，所以需要将下部电极取为具有反射特性的金属，将上部电极CD取为透明导电膜。这里的所谓透明导电膜并不仅仅是一般被称为透明导电膜的IZO、ITO、ZnO这样的In、Zn、Sn族氧化膜，而且也含有薄膜Ag、薄膜Al。因为由这些透明导电膜形成的电极的薄膜电阻大，所以作为上部电极CD，若仅是在有效显示区域AR的整个面一并形成，则会产生电位梯度，进而产生画面内的亮度倾斜。

在专利文献1和2中公开了如下技术：为了表面上降低光射出侧的透明导电膜的电阻而利用金属辅助电极将透明导电膜划分成某种程度的微小区域。在专利文献1中公开了下部电极间的作为绝缘膜的堤(bank)之下设置有与下部电极同层且被分离的辅助布线，而且通过接触孔使该辅助布线与上部电极CD连接的结构。在专利文献2中，公开了在有机EL元件的上部电极CD的上层、与堤相重叠的区域设置辅助布线的结构。

专利文献1：日本特开2001-230086号公报

专利文献2：日本特开2002-318556号公报

发明内容

在专利文献1中，通过接触孔使辅助电极和有机EL元件的下部电极之下的下层布线之间连接。若接触孔内形成包括发光层的有机EL元件的一个功能层OLBF，则由于电连接变得不可能，所以需要在接触孔附近设置功能层OLBF的形成偏移量以上的非形成区域。即若根据专利文献1的技术，则不得不降低开口率(平均1个像素PXL的发光面积(堤开口面积)在1个像素PXL全部面积中所占的比例)。

在专利文献2中，在上部电极CD之上形成辅助电极，即在比专利文献1更接近显示面的位置上形成辅助电极，因此，利用辅助电极和下部电极的反射特性差，将会在画面上看到清晰的辅助电极的反射现象。

本发明的目的在于提供一种明亮且画面上的亮度不均少的TE型AM-OLED。

本发明为了实现上述目的，例如采用以下方案。

在有机EL元件具有从TFT基板侧开始按照下部电极、包括有机发光层的功能层OLBF、上部电极CD的顺序层叠的结构的TE型AM-OLED中，将上部电极CD取为全部有机EL元件公用的电极，也就是，取为β电极，在其上部电极CD和功能层OLBF之间，形成由电导率比上部电极CD高的材料构成的辅助电极。

另外，换一种角度而言，当采用那样的结构时，是在作为β电极的上部电极CD和功能层OLBF之间形成辅助电极，则夹着该辅助电极的上部电极CD上的2点间的薄膜电阻比不夹着辅助电极的上部电极CD上的2点间的薄膜电阻低。

这样，通过使用电阻值比上部电极CD低的金属作为辅助电极，使在与上部电极CD重合的功能层OLBF之上的全部电极的薄膜电阻降低，能够抑制在面内的电压降。

通过在上部电极CD和功能层OLBF之间形成该辅助电极，具体而言是采用在上部电极CD的正下方将该辅助电极电连接在上部电极CD上的结构，在至显示面之间夹着上部电极CD，因此，因为辅助电极的反射光变得模糊，所以能够减少由辅助电极的反射引起的画面上的亮度不均，使显示品质得到提高。

作为该辅助电极的形状、结构、形成位置等，优选方式如下。

(1)法线方向的结构：堤上