[发明专利]非晶硅金属诱导晶化方法

权利要求书

1.一种制备多晶硅薄膜的方法，至少包括步骤：

●在衬底上沉积第一层非晶硅薄膜，

●在第一层非晶硅薄膜上形成第二层薄膜，

●在所述第二层薄膜上形成图案，所形成的图案是由面积较大的非 晶硅暴露区和面积较小的非晶硅暴露区和非暴露区组成的，

●在所述第二层薄膜和所述非晶硅暴露区上沉积含金属镍的薄膜，

●进行热退火，在退火过程中，非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。

2.一种制备多晶硅薄膜的方法，至少包括步骤：

●在衬底上沉积第一层非晶硅薄膜，

●在第一层非晶硅薄膜上形成第二层薄膜，

●在所述第二层薄膜上形成图案，所形成的图案是由面积较大的非 晶硅暴露区和面积较小的非晶硅暴露区和非暴露区组成的，

●在非晶硅暴露区表面上形成自然氧化层，

●在所述第二层薄膜和所述表面形成自然氧化层的非晶硅暴露区 上沉积含金属镍的薄膜，

●如果所述第二层薄膜是有机膜，则去掉第二层薄膜，

●进行热退火，在退火过程中，非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。

3.一种制备多晶硅薄膜的方法，至少包括步骤：

●在衬底上沉积第一层非晶硅薄膜，

●在第一层非晶硅薄膜上形成第二层氧化硅薄膜，其中第二层氧化 硅薄膜厚度为2-10纳米，

●在所述第二层薄膜上形成图形，所形成的图案是由面积较大的非 晶硅暴露区和面积较小的非晶硅暴露区和非暴露区组成的，

●在非晶硅暴露区表面上形成自然氧化层，

●在所述第二层薄膜和所述表面形成自然氧化层的非晶硅暴露区 上沉积含金属镍的薄膜，

●进行热退火，在退火过程中，非晶硅薄膜形成多晶硅薄膜。

4.根据权利要求1至3中任何之一的方法，其中所述衬底材料为 玻璃衬底。

5.根据权利要求1至3任何之一的方法，其中所述第一层非晶硅 薄膜为利用PECVD，LPCVD或溅射方法制备。

6.根据权利要求1至3任何之一的方法，其中所述第一层非晶硅 薄膜的厚度是从10-300纳米。

7.根据权利要求1至2任何之一的方法，其中所述第二层薄膜是 光刻胶或LTO。

8.根据权利要求2-3任何之一的方法，其中所述非晶硅表面的自然 氧化层厚度为0-4纳米。

9.根据权利要求1至3任何之一的方法，其中所述第二层薄膜图 案是用光刻法来实现的。

10.根据权利要求1、2、或3的方法，其中所述面积较大的非晶硅 暴露区是以圆孔的形式存在的，圆孔的直径在2-30微米，这些圆孔按照 方形点阵排列。

11.根据权利要求1、2、或3的方法，其中所述面积较大的非晶硅 暴露区是以圆孔的形式存在的，圆孔的直径在2-30微米，这些圆孔按照 六角形点阵排列。

12.根据权利要求1、2、或3的方法，其中所述面积较大的非晶硅 暴露区是以长的平行的线条组成的，线条的宽度在0.5-10微米，线条间 隔10-90微米。

13.根据权利要求1、2、或3的方法，其中所述面积较小的非晶硅 暴露区是以圆孔或方孔的形式存在的，圆孔的直径、方孔的边长为0-8 微米，这些孔按照方形点阵排列，并且这些相邻圆孔之间的距离是2-10 微米。

14.根据权利要求1、2、或3的方法，其中所述的面积较小的非晶 硅暴露区是以圆孔或方孔的形式存在的，圆孔的直径或方孔的边长在 0-8微米，这些孔按照六角形点阵排列，并且这些相邻圆孔之间的的距 离是2-10微米。

15.根据权利要求1至3任何之一的方法，其中所述非晶硅的样品 表面上形成微量的金属镍是在镍盐溶液中浸泡，粘附的超薄镍或含镍薄 膜层。