[发明专利]场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管的制造方法，其特征是，

在衬底上设置形成图形的栅电极，在上述衬底上和上述栅电极上设置栅 绝缘膜，

在上述栅绝缘膜上分开设置源电极和漏电极，

在上述源电极和上述漏电极之间有应成为沟道的区域，

上述应成为沟道的区域与上述源电极或上述漏电极的一方的第一边界线 是直线状，

上述应成为沟道的区域与上述漏电极或上述源电极的另一方的第二边界 线是非直线状，而且，上述第二边界线是连续的或不连续的，上述应成为沟 道的区域与上述漏电极或上述源电极的另一方的边界部分有多个凹部，

使上述应成为沟道的区域表面有比其它区域高的亲水性、使上述应成为 沟道的区域的周围区域有比上述应成为沟道的区域高的疏水性，

向上述应成为沟道的区域供给含有半导体有机分子的溶液，并干燥上述 溶液。

2.如权利要求1记载的场效应晶体管的制造方法，其特征是，

上述凹部的几何学形状有四边形、三角形、半圆形或波形中的至少任一 种。

3.如权利要求1记载的场效应晶体管的制造方法，其特征是，

具有有利于使应成为上述沟道的区域内的上述溶液先从上述第一边界线 一侧干燥的上述凹部

4.如权利要求1记载的场效应晶体管的制造方法，其特征是，

具有把上述衬底浸入到容器内的上述溶液中，然后，从上述容器中取出 上述衬底的工序。

5.如权利要求1记载的场效应晶体管的制造方法，其特征是，

通过将应成为上述沟道的区域内的上述溶液干燥而成为晶粒，上述晶粒 构成沟道。

6.如权利要求1记载的场效应晶体管的制造方法，其特征是，

在平面上看，应成为上述沟道的区域表面位于比包含上述源电极和上述 漏电极的周边区域低的位置。

7.一种场效应晶体管的制造方法，其特征是，

在衬底上设置栅电极，在上述衬底上和上述栅电极上设置栅绝缘膜，

在上述栅绝缘膜上分开设置源电极和漏电极，

在上述源电极和上述漏电极之间有应成为沟道的区域，

上述应成为沟道的区域与上述源电极的第一边界线有第一直线状的部分 和第一非直线状的部分，

上述应成为沟道的区域与上述漏电极的第二边界线有第二直线状的部分 和第二非直线状的部分，

上述第一和第二边界线的上述第一和第二非直线状的部分是连续的或不 连续的，而且，上述第一和第二边界线的上述第一和第二非直线状的部分有 多个凹部，

上述第一和第二非直线状的部分相对于与上述应成为沟道的区域的上述 第一和第二边界线平行方向的上述应成为沟道的区域的中心线，位于对称的 位置，

使上述应成为沟道的区域表面具有比其它区域高的亲水性、使上述应成 为沟道的区域的周围区域具有比上述应成为沟道的区域高的疏水性，

向上述应成为沟道的区域供给含有半导体有机分子的溶液，干燥上述溶 液。

8.如权利要求7记载的场效应晶体管的制造方法，其特征是，

上述凹部的几何学形状有四边形、三角形、半圆形或波形中的至少任一 种。

9.如权利要求7记载的场效应晶体管的制造方法，其特征是，

具有有利于使应成为上述沟道的区域内的上述溶液先从上述第一边界线 一侧干燥的上述凹部

10.如权利要求7记载的场效应晶体管的制造方法，其特征是，

具有把上述衬底浸入到容器内的上述溶液中，然后，从上述容器中取出 上述衬底的工序。

11.如权利要求7记载的场效应晶体管的制造方法，其特征是，

通过使应成为上述沟道的区域内的上述溶液干燥而成为晶粒，上述晶粒 构成沟道。