[发明专利]一种多晶刻蚀腔室中电极表面的清洗方法

权利要求书

1.一种多晶刻蚀腔室中电极表面的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、用固态二氧化碳CO₂清洗电极表面；

B、对电极表面进行抛光处理，去除表面材料至消除表面缺陷与损伤；

C、对电极进行超声波清洗、有机溶剂清洗与酸性溶液清洗。

2.根据权利要求1所述的多晶刻蚀腔室中电极表面的清洗方法，其特征在于，所述步骤A后包括：

用有机溶剂清洗去除硅材质表面的有机杂质。

3.根据权利要求1所述的多晶刻蚀腔室中电极表面的清洗方法，其特征在于，所述的步骤B包括：

依次采用粒度由大至小的金刚石砂轮对电极表面进行抛光处理，直至电极表面满足预定的性能要求。

4.根据权利要求1所述的多晶刻蚀腔室中电极表面的清洗方法，其特征在于，所述的步骤C包括：

C1、将电极放入40℃至80℃的热水中超声清洗设定的时间，且在清洗时保持电极上下摆动；

C2、用有机溶剂擦拭、浸泡或喷淋电极，并用超纯水喷淋电极；且此步骤可重复多次；

C3、用酸性溶液擦拭电极，并用超纯水喷淋电极；且此步骤可重复多次。

5.根据权利要求4所述的多晶刻蚀腔室中电极表面的清洗方法，其特征在于：所述的步骤C1前还包括：

C4、将电极放入70至90℃的水中浸泡0.5～1.5小时；

和/或，所述的步骤C3后还包括：

C5、将电极放入60℃的热超纯水中超声清洗设定的时间；和/或，

C6、将零件在100℃～120℃环境下烘烤零件进行烘干处理。

6.根据权利要求4或5所述的多晶刻蚀腔室中电极表面的清洗方法，其特征在于：所述的步骤C1、步骤C2、步骤C3和/或步骤C5后还包括：

用超纯水喷淋电极，并用洁净的气体吹干电极表面。

7.根据权利要求1、2、3、4、或5所述的多晶刻蚀腔室中电极表面的清洗方法，其特征在于，所述的有机溶剂包括：

含量为100％的异丙醇；或者，

含量为100％的丙酮；

其中，所述的异丙醇符合SEMI标准C41-1101A的I级标准；所述的丙酮满足电子纯级别要求。

8.根据权利要求1、2、3、4、或5所述的多晶刻蚀腔室中电极表面的清洗方法，其特征在于，所述的酸性溶液包括氢氟酸HF、硝酸HNO₃、醋酸CH₃COOH与水H₂O，其含量体积百分比为：

HF         0.2％-1.0％

HNO₃       10％-40％

CH₃COOH    10％-20％

H₂O        余量

其中各组份的含量各为100％。