[发明专利]一种电绝缘盐修饰的杂化电极的制备方法无效
申请号: | 200710052548.0 | 申请日: | 2007-06-26 |
公开(公告)号: | CN101090141A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 赵兴中;吴素娟;韩宏伟;台启东;张京;徐晟;周聪华;杨英 | 申请(专利权)人: | 武汉大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L51/48;H01L21/288;H01G9/042;H01G9/20;H01M4/00;H01M14/00 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 朱必武 |
地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 绝缘 修饰 电极 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于染料敏化太阳能电池纳米晶膜的研究领域,涉及制备以SrCO3为代表的碱性电绝缘盐修饰的TiO2杂化电极。
背景技术
N719敏化的液态电解质染料敏化纳米晶太阳能电池的理论光电转换效率是14%,而目前Gratzel组报道的只有10%左右,其它课题组报道的更低。这是由于染料敏化纳米晶太阳能电池内存在大量的电荷复合,限制了染料敏化纳米晶太阳能电池效率的提高。经实际研究可知:采用碱性的SrCO3电绝缘盐修饰TiO2纳米晶膜,以抑制TiO2/染料/电解质界面的电荷复合。
在光照条件下,TiO2/电解质界面的电荷复合占整个染料敏化纳米晶太阳能电池复合的主导,严重影响染料敏化纳米晶太阳能电池光电转换效率的提高。国内外的研究者尝试引入大量的宽禁带氧化物,例如ZnO,Al2O3,SiO2,ZrO2,Nb2O5等修饰TiO2纳米晶膜,以减小界面复合、提高光电转换效率,取得了一定的成效。但引入碱性的电绝缘盐修饰TiO2纳米晶膜,加速电荷分离、抑制电荷复合从而提高光电转换效率的报道还不多见。而制备SrCO3修饰TiO2纳米晶膜,以提高染料敏化太阳能电池转换效率的工作目前还未见报道。
发明内容
本发明所要解决的问题是针对上述现有技术提出一种电绝缘盐修饰的杂化电极的制备方法,由该方法制备的杂化电极,应用于染料敏化太阳能电池后的光电效率有较大提高。
本发明为解决上述提出问题采用的解决方案为:一种电绝缘盐修饰的杂化电极的制备方法,其特征在于步骤是:
①、配制5mM~0.1M的Sr(CH3COO)2溶液;
②、将TiO2纳米晶膜浸入Sr(CH3COO)2溶液中,反应完成后取出并用去离子水冲洗并烘干;
③、热处理修饰后的TiO2纳米晶膜,即可得到SrCO3修饰的TiO2杂化电极。
如上所述的电绝缘盐修饰的杂化电极的制备方法,其特征在于:将TiO2纳米晶膜浸入50-80度恒温的Sr(CH3COO)2溶液中,10-35分钟后取出并用去离子水冲洗并烘干。溶液的温度会影响反应完成的时间,对其电化学性能影响不明显,在50-80度的区间而且用恒温的方式,比较易于重复的进行,操作简单易于控制。
如上所述的电绝缘盐修饰的杂化电极的制备方法,其特征在于:所述TiO2胶体可以是水热法合成的,也可以由购买的P25粉(从Degussa AG of Germany公司购买)配制成。
敏化制得的杂化电极,滴加氧化还原电解质于敏化后的纳米晶膜上,加盖对电极,可组装成染料敏化纳米晶太阳能电池。
按上述方案中,所述的氧化还原电解质配比为:0.1MLiI,0.05MI2,0.6M1,2-dimethyl-3-n-propylimidazolium(1,2甲基-3-n-丙基咪唑碘),0.5M4-tertbutylpyridine(4-叔丁基吡啶),溶剂为碳酸丙烯脂。所用的染料为N719。
本发明上述杂化电极包括SrCO3电绝缘层和TiO2纳米晶膜层两层,SrCO3电绝缘层通TiO2纳米晶膜表面的离子吸附均匀的沉积于TiO2上(具体的机理可参见A.Kay andM.Grtzel,Chem.Mater.,2002,14,2930),TiO2上的SrCO3电绝缘层有利于抑制电荷复合提高电池的光电转换效率。
本发明的有益效果在于:
1.本发明提出了一种应用于染料敏化太阳能电池电绝缘盐修饰的杂化电极的制备方法。较好的解决了染料敏化太阳能电池中TiO2/电解质界面电荷复合大的缺点,提高了染料敏化太阳能电池的光电转换效率。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉大学,未经武汉大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710052548.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多孔低K介电膜的紫外辅助孔密封
- 下一篇:一种多功能的电子表及控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的