[发明专利]制程腔体内环境的检测方法无效
| 申请号： | 200710047991.9 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101431002A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 季峰强;涂火金;王海峰;范建国 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;G01M3/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制程腔 体内 环境 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制程腔体内环境的检测方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a.将测试晶圆放入制程腔体内，关闭与该制程腔体连接的气体管道；b.将制程腔体加热到预定温度；c.对制程腔体进行保温步骤；d.降低制程腔体的温度；e.测量测试晶圆表面生成薄膜的厚度，将该厚度与该测试晶圆在正常制程腔体内经过上述步骤后生成薄膜的厚度进行比较，若前者大于后者，说明该制程腔体内有氧化性气体泄漏和/或者氧化性残留物质，反之，说明该制程腔体内没有氧化性气体泄漏和氧化性残留物质。
2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：步骤b的预定温度是800-1200℃。
3.如权利要求2所述的检测方法，其特征在于：预定温度是1000-1150℃。
4.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：步骤c保温步骤的保温时间是10-1000S。
5.如权利要求4所述的检测方法，其特征在于：保温时间是10-120S。
6.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：步骤d中将制程腔体的温度降低至600℃以下。
7.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于：在进行步骤e之前，循环执行步骤b、c、d。
8.如权利要求7所述的检测方法，其特征在于：循环执行步骤b、c、d的次数是3-15。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
