[发明专利]液晶显示装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710047740.0 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101424841A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 马群刚 | 申请（专利权）人： | 上海广电NEC液晶显示器有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/027;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 薛 琦 |
| 地址： | 201108上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示装置，其包括一玻璃基板，形成于玻璃基板上的透明公共电极，在透明公共电极上分别沉积绝缘层和钝化层，隔着绝缘层和钝化层形成在透明公共电极上的像素电极，像素电极与所述透明公共电极通过它们之间的绝缘层形成存储电容。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述透明公共电极通过接触孔与金属公共电极线电连接。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述透明公共电极的图案面积大于像素电极图案面积。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述透明公共电极的四个角上有连接线。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述透明公共电极的四个边上有连接线。
6.如权利要求4或5所述的液晶显示装置，其特征在于，所述透明公共电极通过其连接线与相邻的透明公共电极电性连接。
7.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述透明公共电极的材料为氧化铟锡。
8.一种液晶显示装置的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤a，在玻璃基板上沉积透明公共电极薄膜，通过光刻和腐蚀工艺形成透明公共电极方块和连接线；
步骤b，在完成步骤a的基板上依次沉积公共电极绝缘层薄膜和栅极扫描线薄膜，通过光刻和腐蚀工艺，形成栅电极扫描线和晶体管栅电极；
步骤c，在完成步骤b的基板上沉积栅电极绝缘层薄膜和非晶硅薄膜，通过光刻和腐蚀工艺，形成硅岛；
步骤d，在完成步骤c的基板上沉积一层金属薄膜，通过光刻和腐蚀工艺，形成数据线、公共电极线、晶体管源电极、漏电极；
步骤e，在完成步骤d的基板上沉积一层钝化层，通过光刻和腐蚀工艺形成漏极部分的钝化层接触孔；
步骤f，在完成步骤e的基板上沉积一层透明导电薄膜，通过光刻和腐蚀工艺，覆盖漏电极上的接触孔，形成像素电极。
9.如权利要求8所述的液晶显示装置的制造方法，其特征在于，所述形成栅电极扫描线的步骤中形成像素电极的遮光条。
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