[发明专利]一种室温下制备氮化钛薄膜的方法无效
申请号: | 200710044920.3 | 申请日: | 2007-08-16 |
公开(公告)号: | CN101109097A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 崔晓莉;马明 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C25D13/02 | 分类号: | C25D13/02 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 室温 制备 氮化 薄膜 方法 | ||
技术领域
本发明属于薄膜技术领域,具体涉及一种室温下制备氮化钛薄膜的新方法。
背景技术
氮化钛(TiN)是一种新型多功能材料,它具有高强度、高硬度、耐高温、耐酸碱侵蚀、耐磨损以及良好的导电性、导热性等一系列优点,广泛用于制备金属陶瓷、切削工具、模具,以及熔炼金属用坩埚,熔盐电解金属用电极的衬里材料,电触点和金属表面的被覆材料。TiN涂层俗称钛金,具有诱人的金黄色金属光泽。TiN作为一种代金装饰材料不仅有华贵的金色效果,且其硬度、耐磨性比黄金好,因而使饰金器件的使用寿命大大提高。已有多种方法制备氮化钛薄膜,包括常用的磁控溅射法、电弧离子镀、化学气相沉积、离子注入法等。目前对于高温制备氮化钛薄膜已进行了大量的研究工作,但在室温下沉积氮化钛薄膜却少有报道。基体的沉积温度决定了沉积薄膜的基体材料,室温沉积可以扩大基体材料的范围,扩大氮化钛薄膜的潜在用途,此外,室温沉积也为低能耗、简化薄膜的制备工艺开辟了一条新途径。本发明首次提出了一种利用纳米TiN粉体通过电泳沉积制备氮化钛薄膜的新工艺,该工艺设备简单,成本低,成膜快,适宜大规模镀膜,被镀件(用于沉积薄膜的基体)的形状不受限制,制得的薄膜的薄膜厚度均匀且厚度可控,沉积时可连续进料,料液可以循环使用。制备工艺简单,室温下可将TiN沉积在金属钛与不锈钢等导电基底表面。
发明内容
本发明的目的在于提出一种室温制备氮化钛薄膜的新方法。
本发明提出的在室温下制备氮化钛薄膜的方法,以氮化钛纳米粉为原材料,使用直流稳压电源或恒电位仪,制备装置见示意图1。直流稳压电源的正极与导电基底(作为工作电极)相连接,负极连接对电极铂片或石墨,调节直流稳压电源或恒电位仪的输入电压在10~20V,控制电泳时间为0.5~10小时,电解液采用含5~20g/L的纳米氮化钛的悬浊液,电泳沉积过程中对溶液进行磁力搅拌;在通电的过程中,氮化钛沉积在工件的表面形成彩色的氮化钛薄膜。
本发明制备的薄膜结构如图2所示,电泳沉积过程的电流~时间曲线如图3、图4所示。实验表明,由本发明提出的方法制备的氮化钛(TiN)薄膜具有特定的颜色和良好的附着力。而且,本发明工艺简单,操作方便,不需要高温环境。
附图说明
图1为制备TiN薄膜实验装置示意图。
图2为TiN薄膜的结构示意图。
图3为在Ti表面电泳沉积TiN薄膜过程的电流~时间曲线,电压10V,极距1cm。
图4为在不锈钢表面电泳沉积TiN薄膜过程的电流~时间曲线,电压20V,极距1cm。
图5为纳米TiN粉体(a)与在Ti表面电泳沉积制备的TiN薄膜(b)的XRD谱。电泳沉积时间8h,电压10V,极距1cm。
图6为由电泳沉积TiN热处理后得到的含氮的TiO2薄膜的在白光(a)和可见光(b)照射下的开路电压。光源为350W的氙灯,白光是经石英水槽滤掉红外光得到的;继续经滤光片滤去390nm以下的紫外光得到可见光。
图7为热处理Ti得到的纯TiO2薄膜的在白光(a)和可见光(b)照射下的开路电压。光源同图6。
图中标号:1为导电基底(工作电极),2为铂片(或石墨)对电极,3为电解池(内置TiN悬浊液),4为磁力搅拌子。
具体实施方式
实施例1:室温下通过电泳沉积方法在Ti表面制备氮化钛薄膜。将清洗后Ti片(厚度0.25mm,面积为3.14cm2)固定在电解池中,对电极采用金属Pt片,调节恒电位仪电位为10V,电极之间的距离为1cm,采用含10g/L的纳米氮化钛悬浊液,电泳沉积1小时,得到暗黄色的TiN薄膜。得到的TiN薄膜可用于装饰材料方面。电泳沉积过程的电流-时间曲线如图3所示。
实施例2:通过电泳沉积方法在Ni/Cr不锈钢表面制备氮化钛薄膜。将清洗后不锈钢(面积为3.14cm2)固定在电解池中,对电极采用金属Pt片,调节恒电位仪的电位为20V,采用含210g/L的纳米氮化钛悬浊液,电泳沉积0.5小时,得到金黄色的TiN薄膜。电泳沉积过程的电流-时间曲线如图4所示。
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