[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 200710043456.6 | 申请日： | 2007-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101101892A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李俊峰;李喜峰 | 申请（专利权）人： | 上海广电光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华 |
| 地址： | 200233上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：
在一透明基板上形成一栅极及与所述栅极电气连接的一栅极扫描线；
使用半曝光掩模版通过光刻与两次绝缘层薄膜生长形成具有不同厚度的栅极绝缘层；
形成半导体层；
形成沟道区、漏极/源极以及与源极电气连接的数据线，并定义出像素区域；
在漏极上方形成钝化绝缘层，并在钝化绝缘层上刻蚀出接触孔；
在透明基板表面形成像素电极。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于所述的半曝光掩模版具有非曝光区、半曝光区和曝光区，沟道区对应的为非曝光区区，栅极与漏极或源极交叠区域、栅极扫描线与数据线交叠区域相对应的为半曝光区，像素区域相对应的为全曝光区。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于所述的栅极层上还形成有与栅极扫描线平行的公共电极线，所述数据线与公共电极线交叠区域相对应的为半曝光区。
4.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：
在一透明基板上方依序形成第一金属层和一较厚的栅极绝缘膜，使用半曝光掩模板进行刻蚀减薄后形成一栅极及与所述栅极电气连接的一栅极扫描线，并形成具有不同厚度的栅极绝缘层；
形成半导体层；
形成沟道区、漏极/源极以及与源极电气连接的数据线，并定义出像素区域；
在漏极上方形成钝化绝缘层，并在钝化绝缘层上刻蚀出接触孔；
在透明基板表面形成像素电极。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于所述的特征在于所述的半曝光掩模版具有非曝光区、半曝光区和曝光区，沟道区对应的为半曝光区域，栅极与漏极或源极交叠区域、栅极扫描线与数据线交叠区域相对应的为非曝光区，像素区域相对应的为全曝光区。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于所述的第一金属层上还形成有与栅极扫描线平行的公共电极线，所述数据线与公共电极线交叠区域相对应的为非曝光区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
