[发明专利]一种有机电致发光器件的空穴注入材料、制备方法、其用途及一种有机电致发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件的复合型空穴注入材料、其制备方法及其应用，以及一种有机电致发光器件。

背景技术

目前的有机电致发光器件一般是多层的复合结构，包括透明的铟一锡一氧化物(ITO)阳极、空穴传导层、发光层、电子传导层和不透明的金属阴极(Al、Mg：Ag合金或Al：Li合金)。空穴传导层具有将阳极注入的空穴输送至发光层的作用，电子传导层具有将阴极注入的电子输送至发光层的作用。当空穴传导层被插入发光层和阳极之间时，更多的空穴在低电场中被注入发光层中，其与从电子传导层注入发光层的电子在发光层相遇并形成激子，并最终导致发光。但目前的有机电致发光器件大多是在正常的发光亮度下驱动电压为10v。

有机薄膜电致发光器件因其低压驱动、主动发光、响应快速和色彩丰富等优点，成为极具前景的平板显示器件。自从C.W.Tang和S.A.VanSlyke[Tang C W，Van Slyke S A.Appl.Phys.Lett.，1987，51(12)：913-915.]采用高效率的双层结构的器件以来，在有机材料和器件结构方面经过多年的研究，有机电致发光器件在亮度、效率和寿命等方面取得了显著进展，并有部分产品开始投入市场。进一步改善亮度和效率，仍是提高有机电致发光器件性能的重要课题。

要获得高的发光效率，必须增加载流子注入，提高载流子平衡程度，以及激子形成和复合的几率。在阳极ITO和空穴传输层之间插入薄的空穴注入缓冲层进行界面修饰，在原有的发光材料和器件结构的基础上，可以获得比原有器件更高的发光效率。报道的缓冲层材料有CuPc[Van Slyke S A，Chen C H，Tang C W.Appl.Phys.Lett.，1997，69(15)：2160-2162.]、m-MTDATA[Shirota Y，Kuwabara Y，Inada H，et al.Appl.Phys.Lett.，1994，65(7)：807-809.]、Al₂O₃[Kurosaka Y，Tada N，Ohmori Y，et al.J pn.J.A ppl.Phys.，1998，37(7B)：L872-L875.]、SiO₂[Deng Z B，Ding X M，Lee S T，et al.Appl.Phys.Lett.，1999，74(15)：2227-2229.]、Si₃N₄[Jiang H，Zhou Y，Ooi B S，et al.Thin Solid Films，2000，363(122)：25-28.]和其他金属氧化物[Tokito S，Noda K，Taga Y.J.Phys.D：Appl.Phys.，1996，29：2750-2753.]等，其中无机物成膜方法较为复杂，膜厚不易精确控制。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中的缺点，提供一种新型的有机电致发光器件的空穴注入材料、其用途及一种有机电致发光器件。

为实现上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种有机电致发光器件的空穴注入材料，其特征在于，由石墨和芳香叔胺按重量比0.01～5∶100组成。

优选地是，石墨与芳香叔胺的重量比为0.1～1∶100。

其中，所述的芳香叔胺选自分子式如下的化合物：

中文名称为：4，4′-N，N′-二咔唑基联苯

英文名称为：4，4′-N，N′-dicarbazolebiphenyl，即CBP；

或

中文名称为：N，N′-二苯基-N，N′-双(6-甲氧基-(2-萘基))对二氨基联苯

英文名称为：N，N′-Diphenyl-N，N′-bis(6-methoxy-(2-naphtyl))benzidine，即MNPB；

或

中文名称为：N，N′-二(1-萘基)-N，N′-双(4-三苯胺基)对二氨基联苯

英文名称为：N，N′-Di(1-naphtyl)-N，N′-bis(4-triphenylamine)benzidine，即PANB。

将前述选定的石墨和芳香叔胺按选定的重量比混合均匀，即可制得本发明中的有机电致发光器件的空穴注入材料。

所述的有机电致发光器件的空穴注入材料可用于制造有机电致发光器件。