[发明专利]一种有机电致发光器件的空穴注入材料、制备方法、其用途及一种有机电致发光器件无效

专利信息
申请号: 200710040054.0 申请日: 2007-04-26
公开(公告)号: CN101295770A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 吕银祥;郭鹏 申请(专利权)人: 上海吉鲁光电科技有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/00;H05B33/12;C09K11/06
代理公司: 上海光华专利事务所 代理人: 余明伟
地址: 200433上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 器件 空穴 注入 材料 制备 方法 用途
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光器件的空穴注入材料,其特征在于,由石墨和芳香叔胺按重量比0.01~5∶100组成。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的空穴注入材料,其特征在于,石墨与芳香叔胺的重量比为0.1~1∶100。

3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件的空穴注入材料,其特征在于,所述的芳香叔胺选自分子式如下的化合物:

(A)

(B)

(C)。

4.制备有机电致发光器件的空穴注入材料的方法,其特征在于,将权利要求1-2任一权利要求所述的石墨和芳香叔胺混合均匀。

5.根据权利要求4所述的制备有机电致发光器件的空穴注入材料的方法,其特征在于,所述的芳香叔胺选自分子式如下的化合物:

(A)

(B)

(C)。

6.权利要求1-3所述的有机电致发光器件的空穴注入材料在制造有机电致发光器件中的应用。

7.一种有机电致发光器件,其特征在于,其结构依次由阳电极、空穴注入材料层、空穴传输材料层、发光层、电子传输层、负电极组成,所述的空穴注入材料层为权利要求1-3任一权利要求所述的有机电致发光器件的空穴注入材料制成,所述的阴电极为LiF/Al双电极。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述的空穴注入材料层厚度为1~5nm。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述的空穴传输材料层厚度为70~100nm,电子传输和发光层厚度均为70~100nm,LiF电极的厚度为0.4~1.5nm,Al电极的厚度为100~160nm。

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