[发明专利]刻蚀监测方法有效
| 申请号： | 200710039812.7 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101290900A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 颜进甫;杨中辉;陈文丽;李玉科;蔡信裕;孙智江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 监测 方法 | ||
1、一种刻蚀监测方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，所述衬底为监测试片；
在所述衬底上沉积介质层；
对所述介质层进行刻蚀，形成刻蚀孔，在所述刻蚀孔内填充导电材料；
将所述衬底放置于在线电压对比检测装置中进行扫描，得到扫描图像；
观察所述扫描图像，判断所述刻蚀孔的刻蚀情况是否满足要求。
2、如权利要求1所述的监测方法，其特征在于：在所述衬底上沉积介质层前，还对所述衬底进行掺杂处理。
3、如权利要求2所述的监测方法，其特征在于，所述掺杂处理由高温炉扩散方法或离子注入方法完成。
4、如权利要求1所述的监测方法，其特征在于：所述在线电压对比检测装置加入了正电场或负电场，且若所述在线电压对比检测装置进行扫描时加入正电场，则所述扫描图像中的亮场图形对应刻蚀到位的刻蚀孔；若加入负电场，则所述扫描图像中的暗场图形对应刻蚀到位的刻蚀孔。
5、如权利要求1所述的监测方法，其特征在于，所述填充导电材料，包括步骤：
在所述衬底上沉积导电材料；
对所述衬底进行化学机械研磨。
6、如权利要求5所述的监测方法，其特征在于：所述导电材料为钨。
7、如权利要求6所述的监测方法，其特征在于，在所述衬底上沉积导电材料之前，还在所述衬底上沉积粘附层。
8、如权利要求1所述的监测方法，其特征在于：在沉积所述介质层之前，还沉积一层停止层；在形成所述刻蚀孔之后，还去除所述刻蚀孔内的所述停止层。
9、如权利要求8所述的监测方法，其特征在于：在形成所述刻蚀孔之后，去除所述停止层之前，还利用在线电压对比检测装置对所述衬底进行过刻蚀扫描。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710039812.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
