[发明专利]沟槽高压N型金属氧化物半导体管及其制备工艺无效
| 申请号： | 200710021129.0 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101026190A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;吴虹;戈喆;易扬波;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 高压 金属 氧化物 半导体 及其 制备 工艺 | ||
【权利要求书】：
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