[发明专利]用于对调制电磁波场进行解调的器件和方法

权利要求书

1.一种在半导体衬底(SUB1、SUB10)中适于检测和解调入射调制电磁波场的像素器件，包括：

-检测装置(2)，用于将所述入射调制电磁波场转换成流动电荷的电信号，

-采样装置(LG、MG、RG、IG1、DG1、IG2、DG2；GS、DG10、IG10、DG20、IG20)，用于在调制周期中以至少两个不同时间间隔对所述流动电荷的电信号进行采样，以及

-由所述采样装置采样的电信号的至少两个输出节点(D1、D2；S1、S2)，

其特征在于，

所述像素器件还包括

-解调装置(4)，包括所述至少两个输出节点和所述采样装置，所述采样装置具有第二传递装置(LG、MG、RG；GS)，以及

-接触节点(K2)，排列在所述检测装置与所述解调装置之间，

所述检测装置(2)包括第一传递装置(GM1；GM1.i；FGi；FDi；VGi)，

所述第一传递装置适于将所述流动电荷的电信号传递到所述接触节点，而所述第二传递装置适于在所述至少两个不同时间间隔的每一个期间，将所述流动电荷的电信号从所述接触节点传递到分配给相应时间间隔的所述至少两个输出节点。

2.如权利要求1所述的像素器件，其特征在于，所述解调装置的尺寸小于所述检测装置的尺寸。

3.如权利要求1所述的像素器件，其特征在于，所述检测装置是光敏的。

4.如权利要求1所述的像素器件，其特征在于，所述第一传递装置包括适于定义静态漂移场的栅极结构(GM1；GM1.i)，其中所述静态漂移场能够将所述流动电荷的电信号传递到所述接触节点(K2)。

5.如权利要求4所述的像素器件，其特征在于，所述栅极结构(GM1；GM1.i)包括与所述半导体衬底(SUB 1)隔离的电阻性电极层以及用于沿所述电极层施加电势差的至少两个连接(K1、K2)。

6.如权利要求5所述的像素器件，其特征在于，所述电极层具有树枝状的形状。

7.如权利要求5所述的像素器件，其特征在于，所述电极层的形状或互补形状较佳地为竖琴状、梳状、树状、蛇形、冰晶状，或者是打孔的平面。

8.如权利要求5所述的像素器件，其特征在于，所述电极层包括材料(31)，所述材料(31)包括一个或多个具有不同薄层电阻的材料。

9.如权利要求1所述的像素器件，其特征在于，所述第一传递装置包括至少一个浮动区域(FG2、...、FGn-1；FD2、...、FDn-1)和至少两个接触区域(FG1、FGn；FD1、FDn)，所述接触区域设有用于向所述至少两个接触区域施加电势差的电触点(K1、K2)，所述接触区域(FG1、FGn；FD1、FDn)与所述至少一个浮动区域(FG2、...、FGn-1；FD2、...、FDn-1)电绝缘，但却电耦合到所述至少一个浮动区域中的至少一个。

10.如权利要求9所述的像素器件，其特征在于，所述第一传递装置包括多个浮动区域(FG2、...、FGn-1；FD2、...、FDn-1)的安排，所述安排使得相邻浮动区域彼此电绝缘，却彼此电耦合。

11.如权利要求1所述的像素器件，其特征在于，所述第二传递装置包括适于在所述至少两个不同时间间隔的每一个期间，定义从所述接触节点到分配给所述相应时间间隔的所述至少两个输出节点的传导通道的栅极电极(LG，MG，RG)。

12.如权利要求11所述的像素器件，其特征在于，所述栅极结构的电阻性电极层是CCD栅极电极。

13.如权利要求1中任一项的像素器件，其特征在于，所述第二传递装置包括具有至少两个触点的栅极电阻层(GS)，以便在所述至少两个不同时间间隔的每一个期间定义从所述触点节点到分配给所述相应时间间隔的所述至少两个输出节点的漂移场，每个所述触点定位在所述至少两个输出节点的每一个附近。

14.如权利要求13所述的像素器件，其特征在于，所述栅极电阻层具有树枝状的形状。

15.如权利要求13所述的像素器件，其特征在于，所述栅极电阻层的形状或互补形状较佳地为竖琴状、梳状、树状、蛇形、冰晶状，或者是打孔的平面。