[发明专利]溅射靶、透明导电膜及透明电极

权利要求书

1.一种溅射靶，其特征在于，含有铟、锡、锌、氧，包含六方晶层状化合物、尖晶石结构化合物及红绿柱石结构化合物，所述六方晶层状化合物用In₂O₃(ZnO)₃表示，所述尖晶石结构化合物用Zn₂SnO₄表示，所述红绿柱石结构化合物用In₂O₃表示。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，用In/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.33～0.6的范围内的值，用Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比为0.05～0.15的范围内的值。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，在X射线衍射中的峰值中，

六方晶层状化合物的最大峰值强度I₁、和尖晶石结构化合物的最大峰值强度I₂、以及红绿柱石结构化合物的最大峰值强度I₃满足下述的关系，

I₁/I₃在0.05～20的范围内；

I₁/I₂在0.05～20的范围内。

4.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶由铟—锡—锌类氧化物构成，该铟—锡—锌类氧化物具备富In相、富Sn相及富Zn相的三相组织。

5.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，在尖晶石结构化合物的母材中，分散有六方晶层状化合物及红绿柱石结构化合物的粒子。

6.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，体电阻值在0.2～10mΩ·cm的范围内。

7.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，理论相对密度为90％以上。

8.一种权利要求1～7中任一项所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，包括：以用In/(In+Sn+Zn)表示的原子比在0.33～0.6的范围内，以及用Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比在0.05～0.15的范围内的比例，混合铟化合物的粉末、锌化合物的粉末、以及粒径小于这些粉末的粒径的锡化合物粉末而得到混合物的工序；

对该混合物进行加压成形制作成形体的工序；

在1250～1700℃对该成形体进行30分钟～360小时烧成的工序。

9.一种透明导电膜，其特征在于，通过溅射法对权利要求1～7中任一项所述的溅射靶进行成膜而成。

10.一种透明电极，其特征在于，通过对权利要求9所述的透明导电膜进行蚀刻而制成。

11.根据权利要求10所述的透明电极，其特征在于，电极端部的锥角在30～89度的范围内。

12.一种透明电极的制作方法，其特征在于，包括采用磷酸类蚀刻液与金属或合金一起对权利要求9所述的透明导电膜进行蚀刻的工序。