[发明专利]能储存高密度资料的高性能快闪存储器装置

权利要求书

1、一种非易失性存储器阵列的编程方法，该非易失性存储器阵列包括存储器单元(201)的阵列(102)，每个存储器单元包含基板(310)、控制栅极(328)、电荷储存组件(322)、源极区域(203)及漏极区域(202)，该方法包括下列步骤：

接收含有在该阵列中待编程的预定数量的位的编程窗(700)；

判定该预定数量的位中哪几个位在该存储器阵列中待编程(703)；

同时编程该预定数量的位至该阵列中的对应的存储器单元(705)；以及

同时验证在该阵列中的该预定数量的位的编程状态(708)。

2、如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在同时编程该预定数量的位之前预先充电与该预定数量的位相关联的位线(704)。

3、如权利要求2所述的方法，其中该预先充电与该预定数量的位相关联的位线(704)包括将位线预先充电至对应于电压源(122)的电压。

4、如权利要求1所述的方法，其中该判定该预定数量的位中哪几个位将在该阵列中待编程是根据反编程方法(703)。

5、如权利要求4所述的方法，其中该反编程方法(703)包含：

判定是否该预定数量的位多于该编程窗中的位的数量的一半，其中该编程窗中不包含于该预定数量的位的位为保留位；

如果判定该预定数量的位多于该编程窗中的该位的数量的一半，则同时编程该阵列中的对应于该编程窗中的该保留位的该存储器单元；以及

设定指示位至预定逻辑状态来指示是否该预定数量的位多于该编程窗中的该位的数量的一半。

6、如权利要求1所述的方法，其中该同时验证(708)包含：

判定在该阵列上的该预定数量的位是否被编程(908)；以及其中该方法进一步包括：

再编程该预定数量的位中的任何未编程位(705)。

7、如权利要求1所述的方法，其中该电荷储存组件(322)包括介电电荷储存组件(322)，配置以对每个存储器单元(201)储存至少两个单独电荷(432，434)。

8、一种存储器装置(100)，包括：

至少一个非易失性存储器单元(201)的阵列(102)；以及

电压供应组件(122)，配置以产生编程电压以用于同时编程多个该存储器单元(201)，该电压供应组件(122)包含直流变压器(123)。

9、如权利要求13所述的存储器装置(100)，其中该至少一个非易失性存储器单元(201)的阵列(102)包含：

多条位线(215)，每条连接至多个该存储器单元(201)的源极(203)或漏极(202)区域；

多条字线，设置正交于该位线(215)，各字线连接至多个该存储器单元(201)的栅极区域(204)；以及

控制逻辑(120)，配置以同时编程在该至少一个非易失性存储器单元(201)的阵列(102)内的存储器单元，其中该阵列(102)内的存储器单元对应于包含待编程的预定数量的位(705)的编程窗。

10、如权利要求9所述的存储器装置，进一步包括：

多个感测放大器(108)，操作上连接至该多条位线(215)，其中该多个感测放大器(108)为低功率感测放大器(108)；以及

控制逻辑(120)，配置以通过监视每个存储器单元与该多个感测放大器中所对应的一个感测放大器的阈值电压来同时验证编程存储器单元中的一些位(708)。