[发明专利]氧化镓－氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜有效
| 申请号： | 200680023378.7 | 申请日： | 2006-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101208452A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 长田幸三 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/453;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 氧化锌 溅射 透明 导电 形成 方法 | ||
1.一种用于形成透明导电膜的高密度氧化镓-氧化锌系烧结体溅射靶，其特征在于，含有20～2000质量ppm的氧化锆。
2.如权利要求1所述的用于形成透明导电膜的氧化镓-氧化锌系烧结体溅射靶，其特征在于，含有0.1～10质量％的氧化镓。
3.如权利要求1或2所述的用于形成透明导电膜的高密度氧化镓-氧化锌系烧结体溅射靶，其特征在于，烧结密度为5.55g/cm3以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的用于形成透明导电膜的高密度氧化镓-氧化锌系烧结体溅射靶，其特征在于，所述靶的体积电阻值为3.0mΩ以下。
5.一种透明导电膜的形成方法，其特征在于，使用含有20～2000质量ppm的氧化锆的氧化镓-氧化锌系靶，利用溅射法在基板上形成由含有20～2000质量ppm的氧化锆的氧化镓-氧化锌构成的薄膜。
6.如权利要求5所述的透明导电膜的形成方法，其特征在于，所述透明导电膜中含有0.1～10质量％的氧化镓。
7.一种由氧化镓-氧化锌系构成的导电性优异的透明导电膜，其特征在于，其是利用溅射形成于基板上的含有20～2000质量ppm的氧化锆的透明导电膜。
8.如权利要求5所述的导电性优异的透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜中含有0.1～10质量％的氧化镓。
9.如权利要求7或8所述的导电性优异的透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜的比电阻为5mΩ·cm以下。
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