[发明专利]可控的电化学抛光方法无效
| 申请号: | 200680021023.4 | 申请日: | 2006-06-06 |
| 公开(公告)号: | CN101218378A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
| 发明(设计)人: | 保罗·菲尼;弗拉斯塔·布鲁西克 | 申请(专利权)人: | 卡伯特微电子公司 |
| 主分类号: | C25F3/02 | 分类号: | C25F3/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋莉 |
| 地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 可控 电化学 抛光 方法 | ||
1.一种抛光基底的方法,包括:
(i)提供包含至少一层金属层的基底,
(ii)使基底与含有液体载体和电解质的抛光组合物接触,
(iii)在接触抛光组合物的基底和电极之间施加电化学电势,其中或者(a)所施加的电势为正电势并且抛光组合物进一步包含该金属的还原剂,或者(b)所施加的电势为负电势并且抛光组合物进一步包含该金属的氧化剂,及
(iv)从基底表面除去至少一部分金属层。
2.根据权利要求1的方法,其中电解质选自硫酸盐,硝酸盐,磷酸盐,和它们的组合。
3.根据权利要求1的方法,其中所施加的电势为正电势并且还原剂选自甲醛,甲酸,次磷酸盐,次磷酸,亚磷酸(phosphorus acid),亚硫酸,抗坏血酸,有机硼化合物如硼烷、氢硼化物、二烷基胺硼烷,氢,它们的盐,和它们的组合。
4.根据权利要求1的方法,其中所施加的电势为负电势并且氧化剂选自过氧化物,过硫酸盐,铈盐,铁盐,和它们的组合。
5.根据权利要求1的方法,其中抛光组合物进一步包含研磨剂。
6.根据权利要求1的方法,其中抛光组合物进一步包含络合剂。
7.根据权利要求6的方法,其中络合剂是有机酸,其选自单羧酸,二羧酸,多羧酸,氨基酸,和它们的组合。
8.根据权利要求6的方法,其中络合剂选自乙酸,柠檬酸,乳酸,苹果酸,丙二酸,草酸,聚丙烯酸,酒石酸,氨基丙酸,氨基乙酸,和它们的组合。
9.根据权利要求6的方法,其中络合剂是聚合物络合剂。
10.根据权利要求1的方法,其中抛光组合物具有6或更小的pH。
11.根据权利要求1的方法,其中抛光组合物进一步包含腐蚀抑制剂。
12.根据权利要求1的方法,其中抛光组合物进一步包含表面活性剂。
13.根据权利要求1的方法,其中基底包含铜层并任选地包含钽层。
14.根据权利要求13的方法,其中所施加的电化学电势为负电势,并且比铜层的开路电势低100mV至300mV。
15.根据权利要求1的方法,其中基底包含金层。
16.一种抛光基底的方法,包括:
(i)提供包含至少一层金属层的基底,其中该基底包含前表面和相对的后表面,
(ii)使基底与含有液体载体和电解质的抛光组合物接触,
(iii)在接触抛光组合物的基底的前表面和第一电极之间施加正的电化学电势,并在接触抛光组合物的基底的后表面和第二电极之间施加负的电化学电势,及
(iv)从基底表面除去至少一部分金属层。
17.根据权利要求16的方法,其中电解质选自硫酸盐,硝酸盐,磷酸盐,和它们的组合。
18.根据权利要求16的方法,其中抛光组合物进一步包含研磨剂。
19.根据权利要求16的方法,其中抛光组合物进一步包含络合剂。
20.根据权利要求19的方法,其中络合剂是有机酸,其选自单羧酸,二羧酸,多羧酸,氨基酸,和它们的组合。
21.根据权利要求19的方法,其中络合剂选自乙酸,柠檬酸,乳酸,苹果酸,丙二酸,草酸,聚丙烯酸,酒石酸,氨基丙酸,氨基乙酸,和它们的组合。
22.根据权利要求19的方法,其中络合剂是聚合物络合剂。
23.根据权利要求16的方法,其中抛光组合物具有6或更小的pH。
24.根据权利要求16的方法,其中抛光组合物进一步包含腐蚀抑制剂。
25.根据权利要求16的方法,其中抛光组合物进一步包含表面活性剂。
26.根据权利要求16的方法,其中抛光组合物进一步包含该金属的氧化剂。
27.根据权利要求16的方法,其中抛光组合物进一步包含该金属的还原剂。
28.根据权利要求16的方法,其中基底包含铜层并任选地包含钽层。
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