[发明专利]处理室的高效UV清洁

权利要求书

1.一种对半导体处理室进行清洁的方法，包括：

提供限定了处理区域的紫外室；

从所述处理区域的远程产生臭氧；

将所述臭氧引入所述处理区域；和

对所述处理区域内的表面进行加热，以使所述臭氧中至少一些分解为氧基和原子氧。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括从所述处理室排出污染物，其中，所述污染物是由所述氧基和所述臭氧与所述处理室内的残余物反应产生的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，产生所述臭氧的步骤包括用紫外灯使氧活化。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，产生所述臭氧的步骤包括用紫外灯阵列使氧活化。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，产生所述臭氧是通过介质阻挡放电/电晕放电来实现的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，产生所述臭氧的步骤在氧中产生约13.0重量百分比的臭氧。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，引入所述臭氧的步骤包括将氧中约13.0重量百分比的臭氧以每分钟约5.0标准升引入所述处理区域。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，加热所述表面的步骤包括使所述处理区域内的衬底底座温度升高。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，加热所述表面的步骤包括使所述处理区域内的衬底底座温度升高到约100℃至约600℃之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，加热所述表面的步骤包括使所述处理区域内的衬底底座温度升高到约400℃。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述处理区域内产生约8Torr的真空。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括通过用紫外灯使氧活化来在所述处理区域内额外地产生臭氧。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括将氧基引入所述处理室中，其中，所述氧基是从所述处理室的远程产生的。

14.一种对半导体处理室进行清洁的系统，包括：

紫外处理室，限定了处理区域；

臭氧产生源，位于所述处理区域的远程；

气体供应器，将所述臭氧产生源耦合到所述处理区域；和

受热表面，位于所述处理区域内，被构造和布置成使所述臭氧中至少一些分解成氧基和原子氧。

15.根据权利要求14所述的系统，其中，所述臭氧产生源包括紫外灯。

16.根据权利要求14所述的系统，其中，所述臭氧产生源包括紫外灯阵列。

17.根据权利要求14所述的系统，其中，所述臭氧产生源基于介质阻挡放电/电晕放电。

18.根据权利要求14所述的系统，其中，所述臭氧产生源设置成在氧气中产生约13.0重量百分比的臭氧。

19.根据权利要求14所述的系统，其中，所述受热表面包括所述处理区域内的衬底底座。

20.根据权利要求14所述的系统，还包括所述处理室的紫外灯，所述紫外灯能够发射波长，所述波长被选择为通过使氧气活化而在所述处理区域内产生臭氧。