[发明专利]整流器和逆变器的晶体管配置无效
申请号: | 200680006622.9 | 申请日: | 2006-01-27 |
公开(公告)号: | CN101133554A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | S·里斯;A·卢夫;U·阿姆曼 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | H03K17/13 | 分类号: | H03K17/13;H02M1/08;H02M7/219;H02M7/5387;H02M7/797 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘春元;魏军 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 整流器 逆变器 晶体管 配置 | ||
1.具有一个晶体管(10)的晶体管配置(1),其具有一个第一和一个第二接点(12、14)和一个调节在第一和第二接点(12、14)之间电流(iD)的控制接点(16),并且还具有一个信号处理装置(22),该信号处理装置根据在第一和第二接点(12、14)之间所存在的电压差(uDS)来给所述控制接点(16)提供一个晶体管控制电压(uGS),其特征在于分配给所述信号处理装置(22)的、并将该信号处理装置在至少两个运行方式之间进行切换的一个控制装置(23)。
2.根据权利要求1所述的晶体管配置(1),
其特征在于,
所述晶体管(10)作为FET、尤其作为MOSFET来实施,其中所述第一接点(12)是漏极接点(D),所述第二接点(14)是源极接点(S),并且所述控制接点(16)是栅极接点(G)。
3.根据前述权利要求之一所述的晶体管配置(1),
其特征在于,
在第一和第二接点(12、14)之间设有一个电流控制单元(18)。
4.根据权利要求3所述的晶体管配置(1),
其特征在于,
所述电流控制单元(18)作为二极管(20)来构造。
5.根据前述权利要求之一所述的晶体管配置(1),
其特征在于,
所述控制装置(23)是一个输出一个控制信号(uWR)的逆变器控制装置(25)。
6.根据前述权利要求之一所述的晶体管配置(1),
其特征在于,
所述控制装置(23)借助一个基本为矩形的控制信号(uWR)来控制所述信号处理装置(22)。
7.根据前述权利要求5和6之一所述的晶体管配置(1),
其特征在于,
把所述控制信号(uWR)加到所述电压差(uDS)上的一个加法点(24)。
8.根据前述权利要求1至6之一所述的晶体管配置(1),
其特征在于,
根据所述控制装置(23)的一个控制信号(uWR)有时把一个基本恒定的电压(Upos)加到所述电压差(uDS)上的一个加法点(32)。
9.根据前述权利要求之一所述的晶体管配置(1),
其特征在于,
所述信号处理装置(22)具有一个用于放大所述电压差(uDS)的放大器(26)。
10.根据前述权利要求之一所述的晶体管配置(1),
其特征在于,
给所述放大器(26)后接了一个电压限制器(28)。
11.根据前述权利要求之一所述的晶体管配置(1),
其特征在于,
给所述控制接点(16)分配了一个开关装置(30),其中该开关装置(30)可借助所述控制装置(23)来操作,并有选择地将所述控制接点(16)与一个与所述电压差(uDS)有关的或与一个与所述电压差(uDS)无关的电压(Upos)相连接。
12.用于对至少一个电压进行整流和/或逆变的配置(36),其具有一个第一和一个第二晶体管配置(VH、VL)和一个设置于所述晶体管配置(VH、VL)之间的抽头点(42),
其特征在于,
所述晶体管配置(VH、VL)根据前述权利要求之一来构造。
13.用于对至少一个电压进行整流和/或逆变的、具有多个并联的配置(36)的装置(46),
其特征在于,
所述配置(36)的所述晶体管配置(V1、V2、V3、V4、V5、V6)根据所述权利要求1至11之一来构造。
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