[发明专利]具有离子束跳动回复的快速离子束偏转的晶圆扫描离子布植机

权利要求书

1.一种离子布植机，包含：

离子束的来源，具有沿离子束路径行进且在布植操作过程中静止的末端离子束部分；

目标台，操作以在所述布植操作过程中越过所述离子束的所述静止的末端离子束部分扫描半导体晶圆；

离子束偏转装置，操作以(1)回应于第一操作条件的第一离子束偏转电压而将所述离子束导向所述离子束路径上，以使得所述末端离子束部分撞击所述半导体晶圆，且(2)回应于第二操作条件的第二离子束偏转电压而将所述离子束导离所述离子束路径，以使得所述末端离子束部分不撞击所述半导体晶圆；以及

离子束控制电路，在所述第二操作条件过程中操作以借由自所述第二离子束偏转电压快速地切换为所述第一离子束偏转电压而转变所述离子布植机为所述第一操作条件。

2.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，还包含分析器，所述分析器操作以空间地分离所述离子束的来源离子束部分中的种类以产生所述离子束的所述末端离子束部分，所述分析器包括解析开口，在所述第一操作条件中自所述解析开口发出所述末端离子束部分，且其中所述离子束偏转装置与所述分析器的所述解析开口相邻且操作以(1)回应于所述第一离子束偏转电压而将所述来源离子束部分的已分离的所述种类导向所述解析开口，以使得存在所述末端离子束部分且基本上由所要的所述种类组成，且(2)回应于所述第二离子束偏转电压而将所述来源离子束部分的已分离的所述种类导离所述解析开口，以使得所述末端离子束部分实质上是熄灭的。

3.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，在所述第一操作条件过程中操作所述离子束控制电路以借由自第一值快速地切换所述离子束偏转电压为第二值而转变所述离子布植机为所述第二操作条件。

4.如权利要求3所述的离子布植机，其特征在于，所述离子束控制电路包括跳动检测电路，操作以检测潜在地影响所述离子束的品质的跳动，且其中回应于所述跳动的检测而发生所述离子束偏转电压自所述第一值至所述第二值的切换。

5.如权利要求4所述的离子布植机，其特征在于，所述跳动检测电路包括电源监控电路，检测作为所述离子布植机内部的一个或多个电源的操作参数的突然变化的所述跳动。

6.如权利要求5所述的离子布植机，其特征在于，所述电源包括来源抑制电源以及减速电源。

7.如权利要求4所述的离子布植机，其特征在于，所述跳动检测电路包括所述目标台中的操作以接收所述离子束的一部分的Faraday杯。

8.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，所述离子束偏转装置包含一对间隔导电板。

9.如权利要求8所述的离子布植机，其特征在于，所述间隔导电板的第一者连接至固定电位，且所述间隔导电板的第二者耦接至操作以供应相对于所述固定电位的所述离子束偏转电压的第一值以及第二值的开关。

10.如权利要求8所述的离子布植机，其特征在于，所述离子束偏转电压的所述第一值等于所述固定电位，且所述离子束偏转电压的所述第二值是相对于所述固定电位的负电位。

11.如权利要求8所述的离子布植机，其特征在于，所述间隔导电板的每一者借由个别开关耦接至两个电源的个别一者，所述电源具有相反极性以使得所述离子束偏转电压是所述电源的量值的总和。

12.如权利要求8所述的离子布植机，其特征在于，所述间隔导电板是平面的且实质上相互平行。

13.如权利要求8所述的离子布植机，其特征在于，所述间隔导电板是平面的且稍倾斜于平行状态以使得在接近所述解析开口的末端处更紧密地间隔。

14.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，所述末端离子束部分在所述目标台中的所述半导体晶圆的位置处具有实质上越过所述半导体晶圆延伸的平整横截面，且其中所述目标台操作以仅沿垂直于所述离子束的所述平整横截面的第一轴扫描所述半导体晶圆。

15.如权利要求1所述的离子布植机，其特征在于，所述末端离子束部分在所述目标台中的所述半导体晶圆的位置处具有实质上圆形的横截面，且其中所述目标台操作以沿相互垂直且垂直于所述末端离子束部分的轴的第一轴以及第二轴扫描所述晶圆。