[发明专利]利用全息光学镊子处理纳米导线的系统和方法无效
申请号: | 200680002215.0 | 申请日: | 2006-01-11 |
公开(公告)号: | CN101378985A | 公开(公告)日: | 2009-03-04 |
发明(设计)人: | 大卫·G·格里尔;里特什·阿加瓦尔;于桂华;查尔斯·M·利伯;库斯塔·拉德维克;耶尔·罗伊切曼 | 申请(专利权)人: | 纽约大学;哈佛大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;G21K1/00;G03H1/08;H05H3/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 全息 光学 镊子 处理 纳米 导线 系统 方法 | ||
1.一种借助于提供至少第一纳米导线处理纳米导线的方法,这种改进包括以下步骤:输入多个光束,形成多个光学陷阱,投射该多个光学陷阱到第一纳米导线上,和处理该至少第一纳米导线。
2.按照权利要求1的方法,其中处理该至少第一纳米导线的步骤包括:操作,隔离,加热和化学变换该至少第一纳米导线中的至少之一。
3.按照权利要求1的方法,其中该至少第一纳米导线包括:金属纳米导线和半导体纳米导线中的至少之一。
4.按照权利要求1的方法,其中该至少第一纳米导线包括:CdS和Si中的至少之一。
5.按照权利要求1的方法,还包括步骤:通过改变光学陷阱阵列相对于该至少第一纳米导线的位置,平移该至少第一纳米导线。
6.按照权利要求1的方法,还包括以下步骤:
提供第二纳米导线;和
通过增大至少一个光学陷阱阵列投射的功率,熔合该至少第一纳米导线到第二纳米导线上。
7.按照权利要求1的方法,还包括以下步骤:
把多个光学陷阱中的至少一个光学陷阱变换成至少一个光学涡流;和
利用该至少一个光学涡流沿径向平移该至少第一纳米导线。
8.按照权利要求1的方法,其中该多个光束具有预定的波长,为的是在该至少第一纳米导线中产生该至少部分的变化。
9.按照权利要求1的方法,其中该多个光束具有预定的强度,为的是在该至少第一纳米导线中产生该至少部分的变化。
10.按照权利要求1的方法,其中该至少第一纳米导线和第二纳米导线选自相同材料和不同材料的组。
11.按照权利要求1的方法,其中该变化在该至少第一纳米导线与第二纳米导线,第二纳米导线与非纳米导线基片,和该至少第一纳米导线与非纳米导线基片中的至少两个之间形成触点,其中该触点选自由机械触点,电触点和光触点构成的组。
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