[实用新型]超高亮度发光二极体无效

专利信息
申请号: 200620131528.3 申请日: 2006-08-21
公开(公告)号: CN200965887Y 公开(公告)日: 2007-10-24
发明(设计)人: 李文桢;林均泽 申请(专利权)人: 李文桢;林均泽
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L25/075;H01L25/00;H01L23/488;H01L23/36
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙皓晨
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 超高 亮度 发光 二极体
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极礼,尤指一种超高亮度发光二极管。

背景技术

传统高亮度发光二极管(如图1所示),在其封装外罩50内部直接封装有一颗发光二极管芯片51、与正负电极53,52。在使用发光二极管发光时,电流经由正极53进入并经金线54而至发光二极管芯片51产生亮光。由于传统的发光二极管芯片51封装在外罩50内部,所产生的热量只能利用负极52下方的接脚来向外散热,由于小小接脚能散发的热量有限,因而无法散逸较多的热量,故而只能限制使用在0.25×0.5m/m尺寸、小电流70mA的发光二极管芯片51,直接限制了传统发光二极管无法通以大电流、或无法一次安装多颗芯片51在其内,根本无法提升其亮度。

发明内容

针对现有技术的不足,本实用新型的目的在于:提供一种超高亮度发光二极管,使其散热性能更佳,可以通大电流,一次安装多颗芯片在其内。

为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:

一种超高亮度发光二极管,其特征在于:包括:

一金属底座,是一体成型出一上表面、一下表面、一贯孔、与一第一电极,所述的贯扎是贯穿在所述的上表面与所述的下表面之间,所述的第一电极是由所述的下表面一体向下凸伸而出;

一第二电极,包括有一上端、与一下端;

一绝缘套,是包覆在所述的第二电极外周并一并固设在所述的金属底座的所述的贯孔内部.所述的第二电极的所述的上端凸伸出所述的上表面之上,所述的第二电极的下端凸伸出所述的下表面之下;

至少一发光二极管芯片,是固设并电连接所述的金属底座的所述的上表面,并以至少一金线电连接至所述的第二电极的所述的上端;以及

一封装外罩,是封装包覆在所述的金属底座与所述的至少一发光二极管芯片的外周,且外露出所述的第一电极与所述的第二电极的下端。

所述的金属底座是由铜金属一体冲压成型。

所述的金属底座更包括有一外环壁,其是固设在所述的上表面外周缘并向上延伸。

所述的外环壁是向外倾斜。

与现有技术相比较,采用上述技术方案的本实用新型具有的优点在于:

由于本实用新型金属底座的上表面具有较大面积。故能同时容装有多颗发光二极管芯片以同时发光,自能具有超高亮度。且本实用新型金属底座的绝佳导电性与散热性,故当通以大电流同时供应多颗发光二极管芯片时,电阻抗仍小不易生热,且金属底座又能迅速将多颗发光二极管芯片所散发的热量完全散逸而出。故有极佳的散热效果,又能提升使用寿命。

附图说明

图1是现有高亮度发光二极管的剖视图;

图2是本实用新型一较佳实施例的剖视图;

图3是本实用新型另一较佳实施例的上视图;

图4是本实用新型又一较佳实施例的上视图。

附图标记说明:1-金属底座;22-下端;11-上表面;20-绝缘套;12-下表面;3、321~353-发光二极管芯片;13-贯孔;31-金线;14-第一电极;4-封装外罩;2-第二电极;15-外环壁;21-上端;311、312、313-金线。

具体实施方式

有关本实用新型一较佳实施例的超高亮度发光二极管,请参照图2的剖视图所示,其是由一金属底座1、一第二电极2、一绝缘套20、一发光二极管芯片3、与一封装外罩4所构成。

如图2所示,本例的金属底座1可由铜金属或铜镍银的合金一体冲压成型出一上表面11、一下表面12、一贯孔13、与一第一电极14。其中,贯孔13贯穿金属底座1的上表面11与所述的下表面12之间。第一电极14是指一负极端,由金属底座1的下表面12体向下凸伸而出,在此特别强调,本例的第一电极14由金属底座1一体向下凸伸成型,是为了取代传统焊接方式接合,以避免焊接时高温在焊接点产生热应变或应力集中,造成其内部电阻抗而致通电生热。除此之外,本例金属底座1更包括有一外环壁15,外环壁15环绕固设在金属底座1的上表面11外周缘并向外斜向倾斜延伸。

在本实施例中,第二电极2是指一正极端,其是为一铜棒,上方有一上端21,下方有一下瑞22。绝缘套20为一玻璃制成的绝缘套,包覆在第二电极2的外周并一并填塞入固设在金属底座1的贯孔13内。

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