[实用新型]用于处理平板显示器衬底的化学气相沉积系统

权利要求书

1.一种用于处理平板显示器衬底的化学气相沉积系统，其特征在于包括：

化学气相沉积室，包括：

室体；

衬底支撑；和

气体分配组件；

其中所述室体限定构造成将来自远程等离子体源的反应性物种经由所述气体分配组件提供至所述化学气相沉积室的处理区中的第一入口，并且所述室体限定构造成将来自相同或不同远程等离子体源的反应性物种绕过所述气体分配组件提供至所述化学气相沉积室的所述处理区中一个或多个第二入口。

2.如权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述第二入口在所述气体分配组件和所述衬底支撑之间的所述室体的侧壁中。

3.如权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述第一入口在所述室体的盖的区域中。

4.如权利要求3所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述第二二入口在所述气体分配组件下方的所述室体的侧壁中。

5.如权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述室体限定构造成将来自相同或不同的远程等离子体源的反应性物种绕过所述气体分配组件提供至所述化学气相沉积室的所述处理区中的一个以上入口。

6.如权利要求1所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述室体限定构造成将来自相同或不同的远程等离子体源的反应性物种绕过所述气体分配组件提供至所述化学气相沉积室的所述处理区中的两个入口，并且所述两个入口位于所述化学气相沉积室的相对侧上。

7.一种用于处理平板显示器衬底的化学气相沉积系统，其特征在于包括：

第一远程等离子体源；和

连接至所述远程等离子体源的化学气相沉积室，所述化学气相沉积室包括：

室体；

衬底支撑；和

气体分配组件；

其中所述室体限定构造成将来自所述第一远程等离子体源的反应性物种经由所述气体分配组件提供至所述化学气相沉积室的处理区中的第一入口，并且所述室体限定构造成将来自相同或不同远程等离子体源的反应性物种绕过所述气体分配组件提供至所述化学气相沉积室的所述处理区中的第二入口。

8.如权利要求7所述的化学气相沉积系统，其特征在于，进一步包括适于提供所述第一远程等离子体源和所述化学气相沉积室之间的压力差的流量限制器。

9.如权利要求7所述的化学气相沉积系统，其特征在于，进一步包括连接至所述化学气相沉积室的第二远程等离子体源，并且其中所述第二入口构造成将来自所述第二远程等离子体源的反应性物种绕过所述气体分配组件提供至所述化学气相沉积室的所述处理区中。

10.如权利要求7所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述第二入口构造成将来自所述第一远程等离子体源的反应性物种绕过所述气体分配组件提供至所述化学气相沉积室的所述处理区中。

11.如权利要求7所述的化学气相沉积系统，其特征在于，进一步包括从所述第一远程等离子体源至所述室体的气体管线中的分流器，其中所述分流器构造成向所述第一入口提供由所述第一远程等离子体源产生的所述反应性物种的一部分，并且向第二入口提供由所述第一远程等离子体源产生的所述反应性物种的一部分。

12.如权利要求7所述的化学气相沉积系统，其特征在于，所述室体进一步限定构造成将来自相同或不同远程等离子体源的反应性物种绕过所述气体分配组件提供至所述化学气相沉积室的所述处理区中的第三入口，其中所述第二入口和所述第三入口位于所述化学气相沉积室的相对侧上。