[发明专利]用来判断存储器的种类的电子装置及其相关方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种用来判断存储器的种类的电子装置及其相关方法，尤指一种利用参考电压判断存储器种类的电子装置及其相关方法。

背景技术

在电子系统中，存储器是系统运作上不可或缺的重要元件。从中央处理器内的高速缓存(Cache Memory)，到与显示卡搭配的视频存储器(VideoMemory)，甚至硬盘所内建的缓冲存储器(Buffer)皆属于存储器的范畴。其中，动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory；DRAM)的价格低廉且电路架构简单，使得需求量大幅增加，其应用范围主要在计算机通讯及消费性电子等产业，如个人计算机、数字相机、移动电话等等。动态随机存取存储器的种类分为数种不同类型，例如同步动态随机存取存储器(SynchronousDRAM，以下简称SDRAM)及双倍数据率同步动态存取存储器(Double Data RateSDRAM，以下简称DDR-SDRAM)。所谓SDRAM是指其同步于系统总线(System Bus)的时钟信号的升缘(Rising Edge)，以高时钟率持续写入或读取数据(此操作亦可称为突发传输(Burst Transfer))。通过同步操作，系统总线及处理器可进行管线式(Pipeline)传输，因而提升数据处理速率。DDR-SDRAM则是同时于同步时钟的升缘与降缘(Falling Edge)上执行突发传输，以达到双倍数据率的功效。换句话说，DDR-SDRAM的时钟率等效于SDRAM的两倍。

随着科技快速发展，电子产品迈入微小化，系统单芯片技术因而逐渐受到重视。由于系统单芯片的目的在于将操作系统嵌入于微芯片内，系统单芯片一般包含多种类型的存储器。然而，不同类型的存储器多使用不同的驱动传输规范，所使用的输入及输出标准亦不同，例如电子元件工业联合会(JointElectron Device Engineering Council；JEDEC)制定可用于同步动态存取存储器的低电压晶体管逻辑(Low Voltage Transistor-Transistor Logic；LVTTL)或可用于双倍数据率同步动态存取存储器的线脚系列终端逻辑(StubSeries Terminated Logic；SSTL)。如此一来，系统需预先知晓存储器的类型，才能提供或切换适当的输入及输出电压。因此，预先判断存储器类型是必需的。

为了达到系统对于不同类型的存储器的兼容性，美国专利公开号US2004/0133758/A1提出一种可判断存储器类型的电路，如该专利的图9所示，此电路包含预设偏压(Preset Bias)电路、栓锁(Latch)电路与选择端(OptionTerminal；OPT)。预设偏压电路预先提供偏压选择端后，根据接地针脚(GNDPin)是否供应选择端一外部电压，此电路可输出高或低电平的模式信号(modesignal)。最后，根据模式信号的两种电平，可决定系统运作于单倍数据速率(Single Data Rate；SDR)或双倍数据速率(DDR)模式。

为了使系统可正常运作于两种存储器类型，已知技术使用一根接地针脚提供选择端外部电压与否，进而判断系统应运作的模式。然而，在系统单芯片的实现中，成本与芯片面积往往是主要考虑之一。对于需要多针脚系统单芯片的应用，每一针脚需妥善运用。因此，使系统能正确判断存储器类型兼顾节省实现上的成本是需要的。

发明内容

本发明是揭露一种用来判断存储器的种类的电子装置，包含有比较器，用来根据参考电压与该存储器所输出的第一电压，产生判别信号；以及重置控制器，用来根据该判别信号，判断该存储器的种类。该比较器包含有第一输入端，用来接收该第一电压；第二输入端，用来接收该参考电压；逻辑电路，耦接于该第一输入端及该第二输入端，用来比较该第一电压与该参考电压，以产生该判别信号；以及输出端，耦接于该逻辑电路，用来输出该判别信号。

本发明还揭露一种用来判断存储器的种类的方法，包含有：接收参考电压；接收该存储器所输出的第一电压；比较该第一电压与该参考电压；根据该第一电压与该参考电压的比较结果，产生判别信号；以及根据该判别信号，判断该存储器的种类。

附图说明

图1为本发明用来判断存储器的种类的系统装置的示意图。

图2为图1的电子装置的功能方块图。

图3为根据图2的本发明流程的流程图。

[主要元件标号说明]

100    系统装置

110    电子装置

120    电压调整器

130、140  存储器