[发明专利]一种可提高缺陷检验可靠性的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种可提高缺陷检验可靠性的方法。

背景技术

在半导体制造领域，光刻是形成集成电路图形的重要工序。该工序首先在晶圆上涂敷一层光刻胶，然后在具有图形的掩膜遮蔽下在曝光光源下曝光，如此即将掩膜上的掩膜图形转移到光刻胶上，最后通过显影液与光刻胶反应而将掩膜图形显现出来。作为光刻工序的基准图形，掩膜对光刻以及后续的工序起着重要的影响，当掩膜上出现缺陷时，该些缺陷就会通过曝光、显影以及后续的刻蚀工艺而转移到数以万计的晶圆上而成为晶圆上的缺陷，故对掩膜质量的控制就成为控制半导体成品率的重要环节。

掩膜几乎无重复性的特点决定了掩膜上的缺陷所处的图形环境的多样性，但是检验机台上仅有的几种缺陷检验设定很难适合于每一片掩膜。另外，现通常在检验机台使用一段时间后就使用标准掩膜校准检验机台，使检验机台恢复到能准确检验出掩膜缺陷的条件，但是即使是在用标准掩膜校验过检验机台后所进行的掩膜检验时，也很难保证能完全检验出掩膜上的缺陷。如此会使存在着缺陷的掩膜通过检验而进入光刻工序，致使晶圆不良品的几率大大增加。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可提高缺陷检验可靠性的方法，通过所述方法可避免具有可能影响晶圆质量的缺陷的掩膜进入光刻工艺。

本发明的目的是这样实现的：一种可提高缺陷检验可靠性的方法，该方法包括以下步骤：a.在每一进行缺陷检验的掩膜的非图形区域上制作一标准缺陷单元；b.存储该标准缺陷单元对应的基准图形及基本缺陷捕获图形；c.将该掩膜设置在检验机台上进行缺陷检验并测得该标准缺陷单元的图形；d.将所测得的标准缺陷单元的图形与其基准图形进行对比来得到该标准缺陷单元的实际缺陷捕获图形；e.判断该实际缺陷捕获图形是否完全包括该基本缺陷捕获图形并依据判断结果决定是否继续进行缺陷检验。

在上述的可提高缺陷检验可靠性的方法中，该方法的步骤e中如果判断结果为是则继续进行掩膜上其他区域的缺陷检验，如果判断结果为否则停止缺陷检验并依据实际缺陷捕获图形调节检验机台直至实际缺陷捕获图形完全包括该标准缺陷捕获图形。

在上述的可提高缺陷检验可靠性的方法中，该标准缺陷单元的图形与掩膜主图形具相同的设计规则。

在上述的可提高缺陷检验可靠性的方法中，该标准缺陷单元的缺陷尺寸为从左至右单调递变。

在上述的可提高缺陷检验可靠性的方法中，该标准缺陷单元每一行代表一种缺陷类型。

本发明还提供一种可提高缺陷检验可靠性的方法，该方法包括以下步骤：a.在每一进行缺陷检验的掩膜的非图形区域上制作一标准缺陷单元及一对应的基准图形单元；b.存储该标准缺陷单元对应的基本缺陷捕获图形；c.将该掩膜设置在检验机台上进行缺陷检验并测得该标准缺陷单元及该基准图形单元的图形；d.将所测得的标准缺陷单元及该基准图形单元的图形进行对比来得到该标准缺陷单元的实际缺陷捕获图形；e.判断实际缺陷捕获图形是否完全包括其基本缺陷捕获图形并依据判断结果决定是否继续进行缺陷检验。

在上述的可提高缺陷检验可靠性的方法中，该方法的步骤e中如果判断结果为是则继续进行掩膜上其他区域的缺陷检验，如果判断结果为否则停止缺陷检验并依据实际缺陷捕获图形调节检验机台直至实际缺陷捕获图形完全包括该标准缺陷捕获图形。

在上述的可提高缺陷检验可靠性的方法中，该标准缺陷单元的图形与掩膜主图形具相同的设计规则。

在上述的可提高缺陷检验可靠性的方法中，该标准缺陷单元的缺陷尺寸为从左至右单调递变。

在上述的可提高缺陷检验可靠性的方法中，该标准缺陷单元每一行代表一种缺陷类型。

与现有使用的检验机台上仅有的几种缺陷检验设定来进行掩膜缺陷检验相比，本发明在每一在检验机台上检验的掩膜上均制作一标准缺陷单元，当实际缺陷捕获图形并非完全包括基本缺陷捕获图形时，即可停止检验并调整检验机台直至实际缺陷捕获图形完全包括基本缺陷捕获图形时才可继续检验，如此可确保对每一掩膜所进行的缺陷检验的准确性，避免具有可能影响晶圆质量的缺陷的掩膜进入光刻工艺。

附图说明

本发明的可提高缺陷检验可靠性的方法由以下的实施例及附图给出。

图1为本发明的可提高缺陷检验可靠性的方法的第一实施例流程图；

图2a为完成图1中的步骤S10后的掩膜的结构示意图；

图2b为图2a中标准缺陷单元2的结构示意图；

图2c为图2b中的缺陷的结构示意图；

图2d为基准图形的微观结构示意图；