[发明专利]器件隔离区的形成方法有效
| 申请号： | 200610147798.8 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207064A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡信裕;刘经国;陈荣堂;孙智江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 隔离 形成 方法 | ||
1.一种器件隔离区的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供包含外围电路区和存储单元区的硅衬底；
在硅衬底上依次形成垫氧化层和氮化硅层；
蚀刻垫氧化层、氮化硅层及硅衬底，形成沟槽；
在氮化硅层上形成绝缘氧化层，并将绝缘氧化层填充满沟槽；
研磨绝缘氧化层至露出氮化硅层；
在外围电路区形成光刻胶；
以光刻胶为掩膜，蚀刻存储单元区的绝缘氧化层直至与外围电路区绝缘氧化层高度一致；
去除光刻胶、氮化硅层和垫氧化硅层，形成浅沟槽隔离结构。
2.根据权利要求1所述的器件隔离区的形成方法，其特征在于：用旋涂法形成光刻胶。
3.根据权利要求2所述的器件隔离区的形成方法，其特征在于：所述光刻胶的厚度为2500埃～3500埃。
4.根据权利要求1所述的器件隔离区的形成方法，其特征在于：蚀刻存储单元区绝缘氧化层的方法为湿法蚀刻法。
5.根据权利要求4所述的器件隔离区的形成方法，其特征在于：湿法蚀刻采用的溶液为缓冲氢氟酸溶液，其中氟化氢和氨水的摩尔比值为49/40。
6.根据权利要求5所述的器件隔离区的形成方法，其特征在于：湿法蚀刻时间为8min～12min。
7.一种器件隔离区的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供包含外围电路区和存储单元区的硅衬底；
在硅衬底上依次形成垫氧化层和氮化硅层；
蚀刻垫氧化层、氮化硅层及硅衬底，形成沟槽；
在氮化硅层上形成绝缘氧化层，并将绝缘氧化层填充满沟槽；
研磨绝缘氧化层至露出氮化硅层；
去除氮化硅层和垫氧化硅层；
在外围电路区形成光刻胶；
以光刻胶为掩膜，蚀刻存储单元区的绝缘氧化层直至与外围电路区绝缘氧化层高度一致；
去除光刻胶，形成浅沟槽隔离结构。
8.根据权利要求7所述的器件隔离区的形成方法，其特征在于：用旋涂法形成光刻胶。
9.根据权利要求8所述的器件隔离区的形成方法，其特征在于：所述光刻胶的厚度为2500埃～3500埃。
10.根据权利要求7所述的器件隔离区的形成方法，其特征在于：蚀刻存储单元区的绝缘氧化层的方法为湿法蚀刻法。
11.根据权利要求10所述的器件隔离区的形成方法，其特征在于：湿法蚀刻采用的溶液为缓冲氢氟酸溶液，其中氟化氢和氨水的摩尔比值为49/40。
12.根据权利要求11所述的器件隔离区的形成方法，其特征在于：湿法蚀刻时间为8min～12min。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
