[发明专利]凸点的形成方法无效
| 申请号： | 200610147430.1 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101207046A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 靳永刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
1.一种凸点的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在半导体衬底上形成金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层的第一开口暴露出金属垫层，所述钝化层为高分子聚合物；
在钝化层及其第一开口内形成金属层；
在金属层上形成光刻胶，定义出金属垫层形状，形成第二开口，暴露出金属层；
在第二开口内、金属层上依次形成电镀籽晶层和凸点层；
去除光刻胶；
蚀刻金属层，形成凸点下金属层，暴露出钝化层；
采用反应离子刻蚀装置产生的等离子体灰化处理钝化层；
形成成凸点。
2.根据权利要求1所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述反应离子刻蚀装置中通入气体为氧气或氢气，产生氧等离子体或氢等离子体，所述气体的流量为100至500sccm。
3.根据权利要求2所述的凸点的形成方法，其特征在于：产生等离子体的功率为100至750W，所述反应离子刻蚀装置中压强范围为1.3×101至1.33×102Pa。
4.根据权利要求2所述的凸点的形成方法，其特征在于：等离子体灰化处理时间范围为15至120s，等离子体灰化处理温度为25至90℃。
5.根据权利要求1所述的形成凸点的方法，其特征在于：所述钝化层为聚酰亚胺。
6.一种凸点的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在半导体衬底上形成金属垫层和钝化层，所述金属垫层镶嵌于钝化层中，且通过钝化层的第一开口暴露出金属垫层，所述钝化层依次由第一钝化层和第二钝化层组成，所述第二钝化层为高分子聚合物；
在钝化层及其第一开口内形成金属层；
在金属层上形成光刻胶，定义出金属垫层形状，形成第二开口，暴露出金属层；
在第二开口内、金属层上依次形成电镀籽晶层和凸点层；
去除光刻胶；
蚀刻金属层，形成凸点下金属层，暴露出第二钝化层；
采用反应离子刻蚀装置产生的等离子体灰化处理钝化层；
形成凸点。
7.根据权利要求6所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述反应离子刻蚀装置中通入气体为氧气或氢气，产生氧等离子体或氢气的等离子体，所述气体的流量为100至500sccm。
8.根据权利要求7所述的凸点的形成方法，其特征在于：产生等离子体的功率为100至750W，所述反应离子刻蚀装置中压强范围为1.3×101至1.33×102Pa。
9.根据权利要求7所述的凸点的形成方法，其特征在于：等离子体灰化处理时间范围为15至120s，等离子体灰化处理温度为25至90℃。
10.根据权利要求6所述的凸点的形成方法，其特征在于：所述钝化层为聚酰亚胺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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