[发明专利]镶嵌结构的制造方法有效
| 申请号： | 200610147323.9 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101202231A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘乒;马擎天;赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 制造 方法 | ||
1.一种镶嵌结构的制造方法，包括：
提供一半导体基底；
在所述半导体基底上形成介质层；
在所述介质层上旋涂光刻胶层，并图形化形成开口图案；
刻蚀所述开口图案底部的介质层，在所述介质层中形成开口；
通过氧气等离子体灰化去除所述光刻胶层。
2.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：产生所述氧气等离子体的氧气的流量为400至800sccm。
3.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：产生所述氧气等离子体的射频源功率为200至400W，偏置功率为300至500W。
4.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述氧气等离子体环境的压力为10至30mT。
5.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述氧气等离子体灰化的时间为10至30s。
6.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该方法还包括用氢氟酸、氨水和极性有机溶剂的混合溶液进行湿法清洗的步骤。
7.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述介质层为氟硅玻璃、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、黑钻石中的一种或其组合。
8.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该方法进一步包括：在旋涂光刻胶之前在所述介质层上形成抗反射层。
9.如权利要求1所属的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：该方法进一步包括：在所述开口中填充金属材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
