[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成第一层间绝缘层，其中形成多个第一接触孔；

在第一层间绝缘层上形成导电层，以填充第一接触孔；

形成用于存储节点接触塞的导电层，使得存储节点接触孔被填充，所述存储节点 接触孔通过蚀刻在第一层间绝缘层上形成的第二层间绝缘层的一部分而形成；

对用于存储节点接触塞的导电层进行平坦化以形成多个存储节点接触塞，使得被 蚀刻的第二层间绝缘层的上表面比存储节点接触塞的上表面高出预定厚度；和

形成蚀刻停止层，其在存储节点接触塞表面上的厚度大于在第二层间绝缘层表面 上的厚度。

2.权利要求1的方法，其中还包括在形成蚀刻停止层之后：

在蚀刻停止层上形成第三层间绝缘层；

在第三层间绝缘层上形成硬掩模图案；

利用硬掩模图案蚀刻第三层间绝缘层，以形成暴露蚀刻停止层的多个第二接触 孔；

移除硬掩模图案；和

移除保留在接触塞上的蚀刻停止层，以暴露接触塞。

3.权利要求2的方法，其中导电层的平坦化包括实施回蚀刻过程。

4.权利要求3的方法，其中实施回蚀刻过程，使得第二层间绝缘层的表面比接触塞 的表面高约-约的厚度。

5.权利要求4的方法，其中控制蚀刻气体来实施回蚀刻过程，以使接触塞的蚀刻速 率至少是第二层间绝缘层蚀刻速率的约3倍。

6.权利要求5的方法，其中如果接触塞包括多晶硅，则蚀刻气体包含氯气(Cl₂)和 溴化氢(HBr)的气体混合物。

7.权利要求5的方法，其中如果接触塞包括钨，则蚀刻气体包含六氟化硫(SF₆) 和氮气(N₂)的气体混合物。

8.权利要求5的方法，其中回蚀刻过程包括使用反应性离子束蚀刻(RIE)型设备、 变压器耦合等离子体(TCP)型设备和电容耦合等离子体(CCP)型设备中的一种来 实施回蚀刻过程。

9.权利要求5的方法，其中回蚀刻过程包括使用磁增强反应性离子束蚀刻(MERIE) 型设备。

10.权利要求2的方法，其中使用低压化学气相沉积(LPCVD)法形成蚀刻停止层。

11.权利要求10的方法，其中形成在接触塞上的蚀刻停止层的厚度比形成在第二层 间绝缘层上的蚀刻停止层的厚度大约-约

12.权利要求2的方法，其中硬掩模图案包括选自多晶硅层、钨层和氮化物层中的一 种。

13.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底，其中形成字线、沉陷塞和位线；

形成第一层间绝缘层，以覆盖位线；

蚀刻第一层间绝缘层，暴露沉陷塞的上表面，以形成多个第一接触孔；

在第一层间绝缘层上形成导电层，以填充第一接触孔；

蚀刻导电层，使得第一层间绝缘层的上表面高于导电层的上表面，由此形成多个 填充第一接触孔的存储节点接触塞；

形成蚀刻停止层，其在第一层间绝缘层上的厚度小于在存储节点接触塞上的厚 度；

在蚀刻停止层上形成第二层间绝缘层；

在第二层间绝缘层上形成硬掩模图案；

利用硬掩模图案通过实施蚀刻过程来蚀刻第二层间绝缘层，以形成暴露蚀刻停止 层的多个第二接触孔；

移除硬掩模图案；

移除保留在存储节点接触塞上的蚀刻停止层，以暴露存储节点接触塞；和

在由形成第二接触孔所产生的高度差上形成存储节点。

14.权利要求13的方法，其中形成存储节点接触塞包括实施回蚀刻过程，使得第二 层间绝缘层的上表面比存储节点接触塞的上表面高约-约

15.权利要求14的方法，其中控制蚀刻气体来实施回蚀刻过程，以使接触塞的蚀刻 速率至少是第二层间绝缘层蚀刻速率的约3倍。