[发明专利]氮化储存记忆单元的多级操作

权利要求书

1.一种多级氮化储存记忆单元的程序化方法，适于储存对应多种不同临界电压准位的不同程序化状态，该方法包括：

提供一可变电阻，以提供多数个不同电阻值；

将所述的氮化储存记忆单元的一漏极端与所选定的所述的电阻值的其中之一连接，而每一所述的电阻值对应所述的临界电压准位的其中之一；以及

通过所选定的所述的电阻值的其中之一来施加一程序化电压至所述的氮化储存记忆单元的所述的漏极端，程序化该氮化储存记忆单元，以储存相对应所述的临界电压准位其中之一的一种程序化状态。

2.如权利要求1所述的多级氮化储存记忆单元的程序化方法，其中该氮化储存记忆单元包括，氮化硅只读记忆单元、硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅记忆单元与双金属-氧化硅-氮化硅-氧化硅-半导体记忆单元其中之一。

3.如权利要求1所述的多级氮化储存记忆单元的程序化方法，其中可控制所述的可变电阻以提供一零电阻。

4.如权利要求1所述的多级氮化储存记忆单元的程序化方法，其中所提供的可变电阻，包括：

提供具有所述的电阻值的多数个电阻器，且所述的电阻器并联连接；以及

提供一多任务器，该多任务器具有接受程序化电压的一输入以及分别耦接至每一所述的电阻器的一第一端的多数个输出，

其中所述的多任务器可控制所选定的所述的电阻器的其中之一连接至所述的氮化储存记忆单元的所述的漏极端。

5.如权利要求4所述的多级氮化储存记忆单元的程序化方法，其中每一所述的电阻器对应所述的临界电压准位的其中之一，且每一所述的电阻器具有一预定量。

6.一种多级快闪存储元件，包括：

一氮化储存记忆单元；以及

可提供多数个不同电阻值的一可变电阻，

其中所述的氮化储存记忆单元的一漏极端与所选定的所述的电阻值的其中之一连接，而每一所述的电阻值对应所述的临界电压准位的其中之一，且所述的可变电阻可用于使一程序化电压耦接至所述的氮化储存记忆单元的所述的漏极端。

7.如权利要求6所述的多级快闪存储元件，所述的氮化储存记忆单元包括，氮化硅只读记忆单元、硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅记忆单元与双金属-氧化硅-氮化硅-氧化硅-半导体记忆单元的其中之一。

8.如权利要求6所述的多级快闪存储元件，其中可控制所述的可变电阻以提供一零电阻。

9.如权利要求6所述的多级快闪存储元件，其中所述的可变电阻包括一电阻器电路，该电阻器电路包括：

提供具有所述的电阻值的多数个电阻器，且所述的电阻器并联连接；以及

提供一多任务器，该多任务器具有接受程序化电压的一输入以及分别耦接至每一所述的电阻器的一第一端的多数个输出，

其中所述的多任务器可控制所选定的所述的电阻器的其中之一连接至所述的氮化储存记忆单元的所述的漏极端。

10.如权利要求9所述的多级快闪存储元件，其中每一所述的电阻器对应所述的临界电压准位的其中之一，且每一所述的电阻器具有一预定值。