[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

透明基板；

第一导电类型半导层形成于该透明基板上；

活性层形成于该第一导电类型半导层上；

第二导电类型半导层形成于该活性层上；

接触层形成于该第二导电类型半导层上，并与该第二导电类型半导层形成欧姆接触；以及

电极具有多个微凸块，形成于该接触层上，用以于该发光元件经由该多个微凸块接合于基座上时，该多个微凸块提供多个电流通道。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该多个微凸块的厚度介于0.3～20微米。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该多个微凸块的形状包括圆形、长条形、多边形、或其组合。

4.如权利要求1所述的发光元件还包括基座，且该电极的该多个微凸块以热音波接合方式接合于该基座上。

5.一种发光元件，包括：

发光二极管包括至少一电极；

基座包括至少一接合垫；以及

多个微凸块介于该电极及该接合垫之间，用以于该发光二极管经由该多个微凸块接合于该基座上时，该多个微凸块提供多个电流通道。

6.如权利要求5所述的发光元件，其中该多个微凸块为一体成形于该电极或该接合垫上。

7.如权利要求5所述的发光元件，其中该多个微凸块的厚度介于0.3～20微米。

8.如权利要求5所述的发光元件，其中该多个微凸块的形状包括圆形、长条形、多边形、或其组合。

9.如权利要求5所述的发光元件，其中该多个微凸块的材料包括至少一种材料选自于金、银、铝、及铜所构成的材料群组。

10.如权利要求5所述的发光元件，其中该发光二极管还包括：

透明基板；

第一导电类型半导层形成于该透明基板上；

活性层形成于该第一导电类型半导层上，用以在偏压下发出光线；

第二导电类型半导层，形成于该活性层上；以及

接触层，形成于该第二导电类型半导层上，并与该第二导电类型半导层形成欧姆接触，

其中，该电极形成于该接触层上。

11.一种发光元件的制造方法，包括以下步骤：

提供发光二极管包括透明基板及至少一电极；

提供基座包括至少一接合垫；以及

形成多个微凸块于该电极或该接合垫上。

12.如权利要求11所述的制造方法，还包括

倒装芯片接合该发光二极管至该基座。

13.如权利要求12所述的制造方法，其中该倒装芯片接合方式包括热音波接合。

14.如权利要求11所述的制造方法，其中该多个微凸块为一体成形于该电极或该接合垫上。

15.如权利要求11所述的制造方法，其中该多个微凸块的厚度介于0.3～20微米。

16.如权利要求11所述的制造方法，其中该多个微凸块包括圆形、长条形、多边形、或其组合。

17.如权利要求11所述的制造方法，其中该多个微凸块的材料包括至少一种材料选自于金、银、铝、及铜所构成的材料群组。